Что означают тайминги на оперативной памяти: что это, как поменять — гайд в 4 разделах

Содержание

что это, как поменять — гайд в 4 разделах

Что такое — тайминг оперативной памяти? На что он влияет и как его определить? Информация — в статье. Здесь также есть инструкция, которая поэтапно показывает, как это значение можно изменить.

Как работает оперативная память

Ее функционирование тесно связано с CPU и информационными носителями. Данные с жесткого диска или другого накопителя первоначально попадают в оперативную память и только после их обрабатывает ЦП.

Структура оперативки похожа на таблицу, где сперва выбирается строчка, а после — столбец. Она делится на банки — ячейки SDRAM. Например, современные варианты DDR4 отличаются от DDR3 удвоенным числом банков. За счет растет производительность. Быстрота DDR4 достигает 25,6 ГБ/c, при этом шина может функционировать на 3200 МГц.

В тему: Что такое оперативная память компьютера, на что она влияет: ответы на 6 популярных вопросов

Что такое тайминги в оперативной памяти, расшифровка

Это значения, отражающие время, за которое обрабатываются данные. Показатели выглядят как три числа, идущие по порядку. Каждое число — временной отрезок, который измеряется в тактах шины.

Следует разобраться с аббревиатурами CAS и RAS. Последние две буквы означают Address Strobe — строб-сигнал адреса. Только в первом случае это про колонку (Column), а во втором — про строку (Row).

CAS Latency

Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание.

RAS-CAS

Указывает на число тактов, которое занимает получение доступа к RAM и активации строки, а потом — колонки, которая содержит необходимое инфо, и команды на считывание данных или же их запись.

Полезно: Что делать, если Windows не видит всю ОЗУ: 4 причины и пути решения

RAS Precharge 

Поскольку ОЗУ — динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ.

Таким образом, показатель RAS Precharge в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку — регенерацию ОЗУ — и разрешением на доступ к следующей строчке информации.

Row Active

Означает время, которое активна одна табличная строчка перед тем, как данные считаются или запишутся.

Примечание: в некоторых случаях может быть использован Command Rate. Он показывает, сколько времени тратится на инфообмен между RAM и ее контроллером. Как правило, это занимает один или два такта.

Пригодится: Как проверить оперативную память в Windows 10: 2 способа

На что влияют тайминги

Если кратко — на скорость, с которой считывается информация, и быстроту инфообмена между планкой и процессором. Естественно, это воздействует и на быстроту функционирования компьютера в целом.

Чем ниже тайминг, тем выше производительность, тем скорее ЦП получает доступ к банкам.

Как узнать тайминг оперативной памяти

Эти данные, как и прочую полезную информацию, можно узнать, посмотрев на сам модуль ОЗУ. Обычно они прописаны на наклейке. Тайминги указываются числовыми значениями. Иногда на маркировке написана полная информация о латентности RAM, а в некоторых вариантах — только CL задержка. При необходимости все тайминги можно посмотреть на сайте изготовителя планки, вбив в поиск номер модели.

Совет: при замене или установке дополнительных модулей ОЗУ в систему рекомендуется ставить планки комплектом, например, 2 штуки по 8 Гб. Таким образом можно будет активировать двухканальный режим работы памяти, что ускорит всю систему. Но при этом важно, чтобы показатели обеих планок были идентичными. Благодаря этому удастся избежать конфликтов между устройствами, которые препятствуют стабильной работе компьютера.

Узнайте: Как увеличить оперативную память (RAM) ноутбука в 5 шагов: способы и советы

Как настроить тайминги оперативной памяти

Как только пользователь установит планки и включит компьютер, БИОС автоматически узнает частотные показатели и тайминги. Однако смена настроек оперативы может положительно повлиять производительность лэптопа, ПК.

Подсистема предоставляет довольно широкие возможности для манипуляций с параметрами планок. Впрочем, число доступных для редактирования параметров ОЗУ может существенно отличаться для разных материнских плат, даже если их чипсеты идентичны.

По этому признаку их можно поделить на модели с:

  1. Минимальными возможностями изменения настроек: поддерживается возможность установки частоты модулей и одного-двух таймингов. Возможности разгона ощутимо ограничены. Подобное явление — норма для вариантов бюджетного уровня класса H для INTEL и А для AMD.
  2. Поддержкой редактирования базовых параметров — можно поменять частоту, основные тайминги. Это стандарт для большинства материнок класса B.
  3. Расширенными возможностями (маркируются как Z и X): предоставляют пользователю доступ к редактированию максимума параметров.

Предупреждение! Менять значения лучше постепенно: по полшага за раз. Действовать необходимо осторожно, иначе можно повредить оперативу.

Примечание: лучше всего разгон переносят варианты с радиаторами, которые поддерживают XMP.

Дополнение: Как настроить оперативную память в БИОСе: инструкция в 4 простых разделах

Чем короче тайминги, тем лучше. Если изначально они не такие маленькие, как хотелось бы, их можно поменять, поколдовав немного в BIOS. Главное — делать все не спеша и после любой перемены проверять работоспособность.
 

Какие значения таймингов оперативной памяти лучше

Как правило, когда выбираешь и приобретаешь оперативную память, то обращаешь внимание лишь на объем ОЗУ и ее тактовую частоту. Так рекомендуют специалисты. А еще обращаешь внимание на тип памяти DDR. Это определяет совместимость с материнкой. При этом почему-то далеко не каждый считается с такой характеристикой, как тайминг (латентность).

А ведь она есть в технических характеристиках оперативки. И, естественно, ее нельзя игнорировать. Причина в том, что тайминг оперативки также значительно влияет на ее производительность. И этим не стоит пренебрегать.

Каково же значение данных цифровых кодов на планках оперативки для персонального компьютера? Тайминги напрямую оказывают влияние на ее быстродействие. Однако их величина — это отнюдь не скорость и не объем памяти. Так что же это?

Когда пользователи подбирают оперативную память для персонального компьютера, то большинство из них сталкиваются с определенной проблемой. Им нужно изучить многие параметры чипов. В том числе рабочие частоты и тайминги.

ВАЖНО! С первыми вопросов не возникает. Чем показатель частот больше, тем быстрее память. Со вторыми намного сложнее. И потому далее мы поговорим о том, для чего предназначен этот параметр. Мы также расскажем о том и как нужно выбирать планку, у которой оптимальные для вас значения таймингов.

Тайминг оперативки. Что это?


Вот прикупили вы планку оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) и счастливые вернулись домой. На упаковке указан объем. Например, 8 Гб. И, допустим, частота 1600 мгц. И вот еще надпись: 6-6-6-18. Вот эти цифры и служат обозначением таймингов.

Нам нужно понять, какие же из них лучше? А для этого необходимо знать, что они представляют из себя. Хотя бы приблизительно. Нам нужно изложить это предельно кратко.

Итак, тайминги (англ. CAS Latency, CL; жаргонное – тайминг) – это задержки по времени между отправкой команды шины памяти и ее исполнением. Иначе говоря, тайминги определяют, насколько быстро осуществляется перемещение информации внутри планки памяти.

Измеряют латентность оперативного запоминающего устройства в тактах. Как правило, она записывается через тире в качестве нескольких цифровых значений. Однако каждое значение имеет свою определенную маркировку и последовательность. И она может иметь, скажем, такой вид: CL-RCD-RP-RAS, где

— CL – сокращение от CAS Latency, то есть время до того, когда был получен ответ памяти,
— RCD – сокращение от RAS to CAS Delay, временной промежуток полного доступа к памяти (его также часто называют поиском нужной строки),
— RP – сокращение от RAS Prechange, продолжительность промежутка между командой деактивации строки и последующей ее активацией,
— RAS – или Command Rate, продолжительность времени между двумя какими-либо командами; обычно это самый минимальный интервал (производитель может его вообще не указать).

ВАЖНО! Характеристики скорости оперативки важны. Ведь именно от них зависит, насколько быстро будет производиться обмен данными между процессором и жестким диском, а также системой. При более высокой частоте работы чипов выполняется больше операций чтения/записи в единицу времени.

Естественно, в зависимости от того, каков объем оперативной памяти определяется общее быстродействие персонального компьютера, но не во всех программах, а только в определенных.

Характеристики памяти


На конкретном примере разберемся, какие характеристики у памяти. Допустим, в обозначениях планки DDR3 1600 RAM есть еще такая маркировка, как PC3 12800. А у другого модуля, DDR4 2400 RAM, указывается PC4 19200. Как это все понять? Первая цифра говорит нам о частоте в МГц. Вторая цифра указывает на то, что она связана с битами: 1 байт = 8 бит.

Из этого следует, что DDR3 с частотой 1600 МГц в состоянии обработать 12800 МБ/сек. Точно так же DDR4 2400 данные способен пропустить через себя со скоростью 19200 МБ/сек. Итак, с какой скоростью ведется обработка данных, мы разобрались.

Настало время рассказать и про тайминги. Данные цифры еще указывают на наклейках на планках. Они представляют собой размещенные через дефис цифры. Скажем, 7-7-7-24, 8-8-8-24 и пр. Данные цифры служат для обозначения промежутка времени (задержки), который нужен модулю RAM для того, чтобы иметь доступ к битам данных, когда делаешь выборку из таблицы массивов памяти.

Указанная задержка характеризует, сколько тактовых импульсов нужно для того, чтобы считывать данные из ячеек памяти для четырех таймингов. Наиболее значимая из четырех цифр — первая. И на наклейке часто пишут лишь ее.

ВАЖНО! Вот почему в этих параметрах действует обратный принцип: чем меньше показатель, тем больше скорость. Ведь за счет меньшей задержки быстрее происходит считывание или осуществляется запись данных в ячейку памяти.

С помощью таймингов фиксируется промежуток ожидания (CL, CAS Latency, где CAS — Acess Strobe) чипа памяти, когда он ведет обработку текущего процесса. Иными словами, это промежуток между тем, как получена команда на чтение, и тем, когда она выполнена.

Со следующей парой цифр все более сложно. Вторая цифра в строке таймингов RAS-CAS – это ни что иное, как промежуток между тем, когда получена команда «Active», и выполнением следующей затем команды на чтение либо запись. Тут также — чем меньше, тем быстрее.

ВАЖНО! Третья цифра — это RAS Precharge, то есть промежуток, в течение которого заканчивается обработка одной строки и осуществляется переход к другой. Последняя цифра показывает такой параметр, как Row Active. Он показывает задержку, на протяжении которой активна одна строка в ячейке.

Как правильно выбрать тайминг


Какие тайминги лучше? Этот вопрос самый сложный для того, кто решил сделать покупку. Как следует из того, что мы написали выше, тайминги – это задержка. Вот почему всем понятно: если задержка меньше, то это лучше. Ведь память будет производительнее.

Представим, что вы приобретаете для своего компьютера комплект оперативной памяти, состоящий из пары планок DDR. В конкретном случае тайминги выбираете одинаковые у одного и у другого модуля. В результате они стабильно работают.

Если говорить про величину, то определяющей становится первая цифра. Ее обозначают, как CL-9. А, скажем, значения 9-9-9-24 охарактеризуются по быстродействию как средние.

Можно также приобрести оперативную память для апгрейда ПК. Тут тоже необходимо придерживаться принципа равных таймингов. Нельзя допустить, чтобы какой-либо из них, например, делал опережение почти на треть цикла.

ВАЖНО! Когда вы планируете установить на компьютер самую быструю память, то не забывайте о том, что, скажем, тайминги 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21 способны обеспечить очень быстрый доступ к данным. Однако ни процессор, ни материнская плата этим не воспользуются. При этом важно, чтобы в материнской плате можно было вручную произвести установку таймингов для ОЗУ.

Можно ли узнать тайминги оперативки в своем ПК


Для этого нет необходимости вскрывать корпус и извлекать планки оперативной памяти из слотов. Используйте специальную бесплатную утилиту CPU-Z, которую можно скачать с сайта программы. Она предоставит вам возможность быстро установить нужные цифры таймингов.

Можно ли самостоятельно посчитать тайминг? Для того чтобы вычислить тайминги самому, нужно применить несложную формулу: Время задержки (сек) = 1 / Частоту передачи (Гц)

Значит, по данным CPU-Z можно подсчитать и тайминги. Скажем, модуль DDR 3, действующий с частотой 400 МГц (это 50% обозначенного производителем значения в 800 МГц), станет выдавать примерно: 1 / 400 000 000 = 2,5 нсек (наносекунд) периода полного цикла (время такта). Далее считаем, какова задержка. При таймингах CL-11 модуль выдаст задержки периодом 2,5 х 11 = 27,5 нсек. В CPU-Z данное значение показано как 28.

ВАЖНО! Из формулы следует: чем ниже каждый из параметров, которые указываются, тем быстрее сможет работать ваша оперативная память.

Можно ли вручную задать тайминги в BIOS

Не в каждой материнской плате предоставляется такая возможность. Только в оверклокерских модификациях.

ВАЖНО! Попытайтесь выставить тайминги вручную из значений, которые предлагает система. Потом внимательно следите за тем, насколько стабильно работает персональный компьютер под нагрузкой.

В том случае, когда в БИОС специальные настройки отсутствуют, вам придется смириться с теми, которые установлены по умолчанию.

Тайминги оперативной памяти и их назначение

Если вам когда-либо приходилось интересоваться параметрами работы такой важной системы компьютера, как оперативная память, то вам наверняка, не раз встречался такой термин, как тайминги оперативной памяти. Что же он обозначает, и в чем заключается важность этого параметра? Попытаемся разобраться в данном вопросе.

Содержание статьи

Что представляют собой тайминги ОЗУ

Основными параметрами оперативной памяти, как известно, являются технология ее работы (например, DDR 1, 2 или 3), ее объем, а также тактовая частота. Но помимо этих параметров довольно важным, хотя и не всегда учитываемым параметром являются характеристики латентности памяти или так называемые тайминги. Тайминги оперативной памяти определяются количеством времени, которое требуется микросхемам ОЗУ, чтобы выполнить определенные этапы операций чтения и записи в ячейку памяти и измеряются в тактах системной шины. Таким образом, чем меньше будут значения таймингов модуля памяти, тем меньше модуль будет тратить времени на рутинные операции, тем большее быстродействие он будет иметь и, следовательно, тем лучше будут его рабочие параметры. Тайминги во многом влияют на производительность работы модуля ОЗУ, хотя и не так сильно, как тактовая частота.

Разновидности таймингов

К числу основных относятся:

  • CAS Latency (CL) – Латентность CAS.
  • RAS to CAS Delay (TRCD) – Задержка RAS to CAS
  • RAS Precharge (TRP) – Время зарядки RAS

Аббревиатура CAS обозначает Column Address Strobe (строб-сигнал адреса колонки), а RAS — Row Address Strobe (строб-сигнал адреса строки).

Часто, хотя и не всегда, производители микросхем ОЗУ используют четвертый и пятый тайминги. Ими являются Row Active Time (TRAS), обычно приблизительно равный сумме второго тайминга (TRCD) и квадрата тайминга CL, а также Command rate.

Все тайминги обычно указываются на маркировке микросхемы памяти в следующем порядке: CL-TRCD-TRP-TRAS. Например, обозначение 5-6-6-18 свидетельствует о том, что у микросхемы памяти значение CAS Latency равно 5 тактам, RAS to CAS Delay и RAS Precharge равны 6 тактам, значение Row Active Time – 18 тактам.

CAS Latency (CL)

Тайминг CAS Latency является одним из самых важных таймингов модуля оперативной памяти. Он определяет время, которое требуется модулю памяти, чтобы выбрать необходимый столбец в строке памяти после поступления запроса от процессора на чтение ячейки.

RAS to CAS Delay (TRCD)

Этот тайминг определяет число тактов, которое проходит между снятием сигнала RAS, означающего выбор определенной строки памяти и подачей сигнала CAS, при помощи которого осуществляется выбор определенного столбца (ячейки) в строке памяти.

RAS Precharge Time (TRP)

Этот параметр задает количество времени в тактах, которое проходит между сигналом на предварительную зарядку Precharge и открытием доступа к следующей строке данных.

Row Active Time

Это тайминг определяет время, в течение которого является активной одна строка модуля памяти. Также в некоторых источниках он может называться SDRAM RAS Pulse Width, RAS Active Time, Row Precharge Delay или Active Precharge Delay.

Иногда для характеристики модуля памяти также используется тайминг Command Rate. Он определяет общую задержку при обмене командами между контроллером памяти и модулем ОЗУ. Обычно равен всего 1-2 тактам.

Также для определения параметров работы ОЗУ иногда используются вспомогательные тайминги оперативной памяти, такие, как RAS to RAS Delay, Write Recovery Time, Row Cycle Time, Write To Read Delay и некоторые другие.

Настройка таймингов средствами BIOS

В большинстве случаев BIOS устанавливает тайминги автоматически. Как правило, вся необходимая информация о таймингах содержится в специальной микросхеме SPD, которая присутствует в любом модуле памяти. Однако при необходимости значения таймингов можно устанавливать и вручную – BIOS большинства материнских плат предоставляет для этого широкие возможности. Обычно для управления таймингами используется опция DRAM Timings, в которой пользователь может установить значения основных таймингов — CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Row Active Time, а также ряда дополнительных. Кроме того, пользователь может оставить значения, используемые BIOS по умолчанию, выбрав вариант Auto.

Пример окна настройки таймингов BIOS

Почему возникает необходимость в самостоятельной установке таймингов? Это может потребоваться в разных случаях, например в ходе мероприятий по разгону оперативной памяти. Как правило, установка меньших значений таймингов позволяет увеличить быстродействие оперативной памяти. Однако в ряде случаев бывает полезной и установка больших значений таймингов по сравнению с номиналом – это позволяет улучшить стабильность работы памяти. Если вы затрудняетесь с установкой данных параметров и не знаете, какие величины таймингов лучше всего установить, то следует довериться значениям BIOS по умолчанию.

Заключение

Тайминги представляют собой числовые параметры, отражающие задержки выполнения операций в микросхеме памяти, обусловленные спецификой работы модулей ОЗУ. Они относятся к числу важных характеристик оперативной памяти, от которых во многом зависит производительность ОЗУ. При выборе модулей памяти следует руководствоваться следующим правилом – чем меньше будет значение таймингов для памяти, работающей по одной и той же технологии (DDR 1, 2 или 3), тем  лучше будут скоростные параметры модуля. Номинальные значения таймингов для любых модулей ОЗУ определяются производителем модулей и хранятся в чипе SPD. Тем не менее, в ряде случаев пользователи могут менять значение стандартных таймингов при помощи средств BIOS.

Порекомендуйте Друзьям статью:

Как узнать тайминги оперативной памяти

Вы не раз наверное слышали фразу «тайминг оперативной памяти», но что это за тайминги и что они означают и на что влияют, наверное только догадывались. В данной теме вы узнаете все про таиминги оперативной памяти, на что они влияют, и как их узнать. Здесь также есть инструкция, которая поэтапно показывает, как это значение можно изменить.

В этой статье вы узнаете:

  • Как работает оперативная память

  • Что такое тайминги в оперативной памяти, расшифровка

  • Как настроить тайминги оперативной памяти

Как работает оперативная память

Ее функционирование тесно связано с CPU и информационными носителями. На сайте мы уже писали про оперативную память и как она работает. Данные с жесткого диска или другого накопителя первоначально попадают в оперативную память и только после их обрабатывает ЦП.

Структура оперативки похожа на таблицу, где сперва выбирается строчка, а после — столбец. Она делится на банки — ячейки SDRAM. Например, современные варианты DDR4 отличаются от DDR3 удвоенным числом банков. За счет растет производительность. Быстрота DDR4 достигает 25,6 ГБ/c, при этом шина может функционировать на 3200 МГц.

Что такое тайминги в оперативной памяти, расшифровка

Это значения, отражающие время, за которое обрабатываются данные. Показатели выглядят как три числа, идущие по порядку. Каждое число — временной отрезок, который измеряется в тактах шины.

Следует разобраться с аббревиатурами CAS и RAS. Последние две буквы означают Address Strobe — строб-сигнал адреса. Только в первом случае это про колонку (Column), а во втором — про строку (Row).

Что означают числа

1 CAS Latency латентность CAS
2 RAS to CAS Delay задержка RAS to CAS
3 RAS Precharge Time время зарядки RAS

CAS Latency

Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как процессор попросит доступ на считывание.

RAS-CAS

Указывает на число тактов, которое занимает получение доступа к RAM и активации строки, а потом — колонки, которая содержит необходимое инфо, и команды на считывание данных или же их запись.

RAS Precharge

Поскольку ОЗУ — динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ.

Таким образом, показатель RAS Precharge в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку — регенерацию ОЗУ — и разрешением на доступ к следующей строчке информации.

Row Active

Означает время, которое активна одна табличная строчка перед тем, как данные считаются или запишутся.

Примечание: в некоторых случаях может быть использован Command Rate. Он показывает, сколько времени тратится на инфообмен между RAM и ее контроллером. Как правило, это занимает один или два такта.

На что влияют тайминги

Если кратко — на скорость, с которой считывается информация, и быстроту инфообмена между планкой и процессором. Естественно, это воздействует и на быстроту функционирования компьютера в целом.

Чем ниже тайминг, тем выше производительность, тем скорее ЦП получает доступ к банкам.

Как узнать тайминг оперативной памяти

Узнать тайминг оперативки можно несколькими способами. Самый простой способ, это посмотрев на сам модуль ОЗУ. Обычно они прописаны на наклейке. Тайминги указываются числовыми значениями. Иногда на маркировке написана полная информация о латентности RAM, а в некоторых вариантах — только CL задержка. При необходимости все тайминги можно посмотреть на сайте изготовителя планки, вбив в поиск номер модели.

Совет: при замене или установке дополнительных модулей ОЗУ в систему рекомендуется ставить планки комплектом, например, 2 штуки по 8 Гб. Таким образом можно будет активировать двухканальный режим работы памяти, что ускорит всю систему. Но при этом важно, чтобы показатели обеих планок были идентичными. Благодаря этому удастся избежать конфликтов между устройствами, которые препятствуют стабильной работе компьютера.

Так же узнать тайминги можно с помощью специальных программ для анализа характеристик оборудования компьютера. Я расскажу о самых популярных программах для Windows 10, 8.1 и Windows 7, которые позволяют посмотреть тайминги и другие характеристики установленной оперативной памяти.

CPU-Z — самая популярная бесплатная программа для получения сведений об оперативной памяти

Если вам требуется компактная, простая, бесплатная и информативная утилита, позволяющая получить сведения об аппаратных характеристиках ПК или ноутбука, CPU-Z — ваш выбор.

В части определения таймингов оперативной памяти шаги будут следующими:

  1. Скачайте CPU-Z с официального сайта https://www.cpuid.com/softwares/cpu-z.html. На странице представлено несколько вариантов загрузки, я обычно использую портативную версию в ZIP-архиве.
  2. После запуска программы (в папке будут присутствовать версии для 64-бит и 32-бит версий Windows) перейдите на вкладку «Memory». Здесь, в разделе Timings вы получите информацию о текущих таймингах оперативной памяти. К примеру, из скриншота ниже можно сделать выводы: частота памяти 2933 МГц (DRAM Frequency умножаем на два, так как используется двухканальный или Dual режим) с таймингами 17-19-19-39.

Перейдя на вкладку SPD можно получить сведения о поддерживаемых модулями оперативной памяти (отдельно для каждого модуля, выбирая нужный в поле «Slot») профилях, частотах и таймингах, а также дополнительную информацию, включая производителя и модель модуля RAM.

AIDA64 — больше информации и дополнительные возможности

Следующий вариант — использование AIDA64. Программа не бесплатная, но даже в бесплатной версии требуемую в рамках этой статьи информацию можно получить. Официальный сайт для загрузки AIDA64 — https://www.aida64.com/downloads

В AIDA64 присутствует несколько разделов, где можно получить информацию о таймингах оперативной памяти, как активных, так и в целом поддерживаемых планками RAM, укажу основные:

Текущие тайминги оперативной памяти можно посмотреть в разделе «Компьютер» — «Разгон».

Информацию о поддерживаемых таймингах каждого модуля можно получить в разделе «Системная плата» — «SPD». Раздел включает в себя и дополнительную информацию, в том числе — модели модулей RAM.

Если в главном меню открыть пункт «Сервис» — «AIDA64 CPUID», в разделе Memory Type вы также увидите текущую частоту и тайминги оперативной памяти.

Раздел меню «Сервис» — «Тест кэша и памяти» также отображает эту информацию и, дополнительно, позволяет провести тест памяти, определив один из ключевых показателей — латентность (Latency) или, иначе, задержку или скорость доступа к памяти в наносекундах: в тесте AIDA64 измеряется время от команды на чтение данных из RAM до получения этих данных процессором.

Выше приведены лишь самые популярные и достаточные для указанной цели программы, в действительности такого рода утилит существует больше. Например, можно отметить PassMark RAMMon, отображающую набор поддерживаемых и активных таймингов каждого установленного модуля и массу дополнительных сведений. 

Существуют как более простые (например, Speccy), так и более сложные решения. Большинство программ определения характеристик компьютера умеют отображать тайминги ОЗУ.

Как настроить тайминги оперативной памяти

Как только пользователь установит планки и включит компьютер, БИОС автоматически узнает частотные показатели и тайминги. Однако смена настроек оперативы может положительно повлиять производительность лэптопа, ПК.

Подсистема предоставляет довольно широкие возможности для манипуляций с параметрами планок. Впрочем, число доступных для редактирования параметров ОЗУ может существенно отличаться для разных материнских плат, даже если их чипсеты идентичны.

По этому признаку их можно поделить на модели с:

  1. Минимальными возможностями изменения настроек: поддерживается возможность установки частоты модулей и одного-двух таймингов. Возможности разгона ощутимо ограничены. Подобное явление — норма для вариантов бюджетного уровня класса H для INTEL и А для AMD.
  2. Поддержкой редактирования базовых параметров — можно поменять частоту, основные тайминги. Это стандарт для большинства материнок класса B.
  3. Расширенными возможностями (маркируются как Z и X): предоставляют пользователю доступ к редактированию максимума параметров.

Внимание! Менять значения лучше постепенно: по полшага за раз. Действовать необходимо осторожно, иначе можно повредить оперативу.

Как проверить работу оперативной памяти и настроить тайминги в БИОСе

Как протестировать ОЗУ в Windows
  • Открыть панель управления.
  • Найти раздел «Система и безопасность». 
  • Перейти в «Администрирование».
  • Кликнуть на «Средство проверки памяти Windows» → «Выполнить перезагрузку и проверку памяти
Как настроить тайминги оперативной памяти в БИОС 1. Перезагрузить ПК.
2. Пока ОС грузится, зайти в БИОС. В зависимости от модели компьютера/лэптопа кнопки для входа могут отличаться.
3. В расширенных настройках BIOSа перейти во вкладку «Advanced».
4. Найти «CAS Latency»:
  • Уменьшить тайминг на 0,5.
  • Вернуться на главную страницу БИОСа, сохранить внесенные изменения и выйти.
  • Снова перезагрузить комп и проверить память.
Если производительность выросла — можно продолжать сокращать отклик. Но на этот раз значение надо менять в «RAS Precharge delay».

Чем короче тайминги, тем лучше. Если изначально они не такие маленькие, как хотелось бы, их можно поменять, поколдовав немного в BIOS. Главное — делать все не спеша и после любой перемены проверять работоспособность.

Если тайминги памяти не совпадают. Можно ли совмещать оперативную память различных параметров? Так что же, на тайминги наплевать

Приветствую, дорогие читатели! Сегодня мы с вами будем разбираться что значат тайминги в оперативной памяти и на что влияет этот параметр. Действительно, вдруг под этим умным словом нам пытаются втюхать очередную пустышку – например, как мегапиксели в камере мобильного телефона без вменяемой оптики?

Из этой статьи вы узнаете:


Немного матчасти

Чтобы разобраться с таймингами – что это такое и для чего они нужны, следует слегка немного углубиться в механизм работы оперативки. Упрощенная схема выглядит следующим образом: ячейки ОЗУ устроены по принципу двухмерных матриц, доступ к которым происходит с указанием столбца и строки.

Ячейки памяти – по сути, конденсаторы, которые могут быть заряженными или разряженными, записывая таким образом единицу или ноль (я думаю, все уже давно в курсе, что любое вычислительное устройство работает с двоичным кодом).

Благодаря изменению напряжения с высокого на низкое посылается импульс доступа к строке (RAS) или столбцу (CAS). Синхронизированные с тактовым импульсом сигналы сначала подаются на строку, затем на столбец. При записи информации подается дополнительный импульс допуска (WE). Производительность памяти напрямую зависит от количества данных, передаваемых за каждый такт.

При этом есть одно НО: данные передаются не мгновенно, а с некоторой задержкой, которую еще называют латентностью. А мгновенно, как известно, ничего не передается – даже фотоны света имеют конечную скорость. Что говорить об электронах, пытающихся пробиться сквозь слои кремния?

Что означают тайминги

Итак, таймингом или латентностью называют величину задержки от поступления до исполнения команды. Их, а также всяких подтаймингов, существует несколько десятков видов, однако с практической стороны они интересны разве что инженерам и прочим большим специалистам по аппаратной части.
Для обычного юзера важны четыре вида тайминга, которые обычно указываются при маркировке оперативки:

  • tRCD – задержка между импульсами RAS и CAS;
  • tCL – задержка от подачи команды о чтении или записи до импульса CAS;
  • tRP – задержка от обработки строки до перехода к следующей;
  • tRAS – задержка между активацией строки и началом обработки.

Некоторые производители также указывают Command rate – задержка между выбором конкретного чипа на модуле памяти и активацией строки.

Маркировка

Мерой тайминга является такт шины памяти. По сути, эти цифры позволяют в общих чертах оценить производительность планки оперативки еще до ее покупки.

Обычно тайминги указываются на шильдике наряду с типом памяти, частотой и прочими характеристиками. Для удобства записываются они в виде набора цифр через дефис в следующем порядке: tRCD‐ tCL‐ tRP‐ tRAS. Например, так: 7–7-7–18.

Однако эту информацию указывают не все производители, поэтому существует вероятность, что, разобрав компьютер и вытащив модуль памяти, требуемых данных вы не найдете. Как узнать интересующие параметры? В этом случае на помощь придут программы, позволяющие получить полную информацию о железе – например, Speccy или CPU‐Z.

И заметьте, в описаниях товаров интернет‐магазинов часто информация о таймингах не приводится.

Поэтому, если вы решили заморочиться по харду и подобрать дополнительную планку оперативки с абсолютно идентичными таймингами, чтобы активировать двухканальный режим оперативной памяти (зачем вам это нужно, ), скорее всего придется отправиться в компьютерный магазин и морочить голову продавцу (или найти инфу на маркировке самостоятельно).

Настройка таймингов

Каждая планка оперативки снабжена чипом SPD, в котором хранится информация о рекомендуемых значениях таймингов применительно к частотам системной шины. Обычно компьютер при автоматических настройках устанавливает оптимальное значение латентности, благодаря которому оперативка покажет лучшую производительность.

Переназначить тайминги можно в БИОСе. Это – одна из любимых забав оверклокеров и прочих компьютерных колдунов, которые при помощи всяких хитрых настроек могут существенно увеличить производительность любого железа. Если вы не знаете, какие тайминги ставить, лучше ничего не трогайте, выбрав автоматическую настройку.

Естественно, многих при покупке оперативной памяти интересует вопрос, что будет если у разных модулей памяти разные тайминги. По сути, ничего страшного не произойдет – вы просто не сможете запустить оперативку в двухканальном режиме.

Известно о случаях полной несовместимости модулей памяти, совместное использование которых провоцирует появление «синего экрана смерти», однако здесь кроме латентности следует учитывать еще множество дополнительных параметров.

Отправляясь за новой планкой памяти, вы можете продолжать сомневаться, какие тайминги лучше. Естественно, те, которые ниже. Однако разница в цифрах латентности находит отражение в разнице в цифрах на ценнике – при прочих равных параметрах модуль с меньшими таймингами будет стоять дороже.

И если вы читали мои предыдущие публикации, то вероятно еще помните, что я всяко негодую по поводу ископаемой DDR3 и агитирую всех при сборке компа ориентироваться на прогрессивный стандарт DDR4.

Еще на эту тему для вас полезно будет ознакомиться со статьями и как соотносятся частота процессора и частота оперативной памяти. Для глубокого погружения, так сказать. Чтобы знать вообще все.

На этом, дорогие друзья, я говорю вам “До завтра”. Спасибо за внимание, и расшаривание этой публикации в социальных сетях.

Тайминги оперативной памяти: что это такое, и как они влияют на производительность Windows?

Пользователи, которые собственноручно стараются улучшить производительность компьютера, прекрасно понимают, что принцип “чем больше, тем лучше” для компьютерных составляющих работает не всегда. Для некоторых из них вводятся дополнительные характеристики, которые влияют на качество работы системы не меньше, чем объём. И для многих устройств это понятие скорости
. Причём этот параметр влияет на производительность почти всех устройств. Здесь вариантов тоже немного: чем быстрее, получается, тем лучше. Но давайте проясним, как конкретно понятие скоростных характеристик в оперативной памяти влияет на производительность Windows.

Скорость модуля оперативной памяти это основной показатель передачи данных. Чем больше заявленное число, тем быстрее компьютер будет “закидывать в топку” объёмов оперативной памяти сами данные и “изымать” их оттуда. При этом разница в объёмах самой памяти может свестись на нет.

Скорость и объём: что лучше?

Представьте себе ситуацию с двумя железнодорожными составами: первый огромный, но медленный со старыми портальными кранами, которые неторопливо загружают и выгружают груз. И второй: компактный, но быстрый с современными быстрыми кранами, которые благодаря скорости выполняют работу по загрузке и доставке быстрее в разы. Первая компания рекламирует свои объёмы, недоговаривая, что груз придётся ждать очень долго. А вторая при меньших объёмах, однако, успеет обработать груза в разы больше. Многое, конечно, зависит и от качества самой дороги, и расторопности машиниста. Но, как вы поняли, совокупность всех факторов и определяет качество доставки груза. А с планками оперативной памяти в слотах материнской платы ситуация аналогична?

Помятуя о приведённом примере, при мы сталкиваемся с номенклатурным выбором. Выбирая планку где-нибудь в интернет-магазине, мы ищем аббревиатуру DDR, но вполне вероятно, что мы можем столкнуться и со старыми добрыми стандартами PC2, PC3 и PC4, что всё ещё в ходу. Так, нередко за общепринятыми стандартами типа DDR3 1600 RAM
можно увидеть характеристику PC3 12800
, рядом с DDR4 2400 RAM
нередко стоит PC4 19200
и т.д. Это и есть те данные, которые помогут объяснить как быстро будет доставлен наш груз.

Читаем характеристики памяти: сейчас всё сами поймёте

Пользователи, умеющие оперировать числами в восьмеричной системе, увязывают такие понятия быстро. Да, здесь речь о тех самых выражениях в битах/байтах:

1 байт = 8 бит

Помня это простенькое уравнение, можно легко посчитать, что DDR3
1600
означает скорость PC3
12800
бит/сек. Аналогично этому DDR4 2400
означает PC4 со скоростью 19200
бит/сек. Но если со скоростью передачи всё ясно, то что же такое тайминги? И почему два, казалось бы, одинаковых по частоте модуля из-за разницы в таймингах могут показывать в специальных программах разные уровни производительности?

Характеристики таймингов должны быть представлены в числе прочих для планок RAM счетверёнными через дефис числами (8-8-8-24
, 9-9-9-24
и т.д). Эти цифры обозначают специфичный промежуток времени, которое требуется модулю RAM для доступа к битам данных сквозь таблицы массивов памяти. Для упрощения понятия в предыдущем предложении и ввели термин “задержка”:

Задержка
– это понятие, которое характеризует то, как быстро модуль получает доступ к “самому себе” (да простят меня технари за такую вольную интерпретацию). Т. е. как быстро байты перемещаются внутри чипов планки. И вот здесь действует обратный принцип: чем меньше числа, тем лучше. Меньшая задержка означает большую скорость доступа, а значит данные быстрее достигнут процессора. Тайминги “измеряют” время задержки (период ожидания
CL
) чипа памяти, пока тот обрабатывает какой-то процесс. А число в составе нескольких дефисов означает сколько временных циклов
этот модуль памяти “притормозит” информацию или данные, которую сейчас ждёт процессор.

И какое это значение имеет для моего компьютера?

Представьте себе, вы после давненько совершённой покупки ноутбука решили к уже имеющейся. Среди всего прочего, ориентируясь по наклеенному лейблу или на основании программ-бенчмарков можно установить, что по характеристикам таймингов модуль попадает под категорию CL-9
(9-9-9-24)
:

То есть данный модуль доставит до ЦПУ информацию с задержкой 9
условных циклов: не самый быстрый, но и не самый плохой вариант. Таким образом, нет смысла зацикливаться на приобретении планки с более низкими показателями задержки (и, теоретически, более высокими характеристиками производительности). Например, как вы уже догадались, 4-4-4-8
, 5-5-5-15
и 7-7-7-21,
у которых количество циклов равно соответственно 4, 5
и 7
.

первый модуль опережает второй почти на треть цикла

Как вы знаете по статье “
“, параметры таймингов включают ещё одни важные значения:

  • CL
    CAS Latency
    модуль получил команду
    модуль начал отвечать
    “. Именно этот условный период уходит на ответ процессору от модуля/модулей
  • tRCD
    – задержка RAS
    к CAS
    – время, затрачиваемое на активацию строчки (RAS
    ) и столбца (CAS
    ) – именно там данные в матрице и сохраняются (каждый модуль памяти организован по типу матрицы)
  • tRP
    – заполнение (Зарядка) RAS
    – время, затрачиваемое на прекращение доступа к одной строчке данных и начало доступа к следующей
  • tRAS
    – означает как долго придётся самой памяти ждать очередного доступа к самой себе
  • CMD
    Command Rate
    – время, затрачиваемое на цикл “чип активирован
    первая команда получена
    (или чип готов к приёму команды)”. Иногда этот параметр опускается: он всегда составляет один или два цикла (
    или
    ).

“Участие” некоторых из этих параметров в принципе подсчёта скорости работы оперативной памяти, можно также выразить в следующих рисунках:

Кроме того, время задержки до момента, когда планка начнёт отсылать данные, можно подсчитать самому. Здесь работает простая формула:

Время задержки
(сек) = 1
/ Частоту передачи
(Гц)

Таким образом, из рисунка с CPUD можно высчитать, что модуль DDR 3, работающий с частотой 665-666 МГц (половина декларируемого производителем значения, т.е. 1333 МГц) будет выдавать примерно:

1
/ 666 000 000
= 1,5
нсек (наносекунд)

периода полного цикла (время такта). А теперь считаем задержку для обоих вариантов, представленных в рисунках. При таймингах CL-9
модуль будет выдавать “тормоза” периодом 1,5
х 9
= 13,5
нсек, при CL-7
: 1,5
х 7
= 10,5
нсек.

Что можно добавить к рисункам? Из них видно, что чем ниже цикл зарядки RAS
, тем быстрее будет работать
и сам модуль
. Таким образом, общее время с момента подачи команды на “зарядку” ячеек модуля и фактическое получение модулем памяти данных, высчитывается по простой формуле (все эти показатели утилиты типа CPU-Z должны выдавать):

tRP
+ tRCD
+ CL

Как видно из формулы, чем ниже каждый
из
указываемых параметров
, тем быстрее будет
ваша оперативная память работать
.

Как можно повлиять на них или отрегулировать тайминги?

У пользователя, как правило, для этого возможностей не очень много. Если в BIOS специальной настройки для этого нет, система будет конфигурировать тайминги автоматически. Если таковые имеются, можно попробовать выставить тайминги вручную из предлагаемых значений. А выставив, следите за стабильностью. Я, признаюсь, не мастер оверклокинга и никогда не погружался в подобные эксперименты.

Тайминги и производительность системы: выбираем по объёму

Если у вас не группа промышленных серверов или куча виртуальных серверов – абсолютно никакого влияния тайминги не возымеют. Когда мы употребляем это понятие, речь идёт о единицах наносекун
. Так что при стабильной работе ОС
задержки памяти и их влияние на производительность, основательные, казалось бы, в относительном выражении, в абсолютных значениях ничтожны
: человек изменения в скорости заметить просто не сможет физически. Программы-бенчмарки это безусловно заметят, однако, если вы однажды станете перед выбором приобрести ли 8 Гб
DDR4 на скорости 3200
или 16 Гб
DDR4 со скоростью 2400
, даже не сомневайтесь с выбором второго
варианта. Выбор в пользу объёма, нежели скорости, у пользователя с пользовательской ОС обозначен всегда чётко. А взяв пару уроков оверклокинга по работе и настройке таймингов для RAM, можно после уже добиться улучшения производительности.

Так что же, на тайминги наплевать?

Практически да. Однако здесь есть несколько моментов, которые вы наверняка уже успели схватить сами. В сборке, где используется несколько процессоров и дискретная видеокарта, обладающая собственным чипом памяти, тайминги
RAM не имеют
никакого значения
. Ситуация с интегрированными (встроенными) видеокартами немного меняется, и некоторые очень уж продвинутые пользователи чувствуют задержки в играх (насколько эти видеокарты вообще позволяют играть). Это и понятно: когда вся вычислительная мощь ложится на процессор и небольшой (скорее всего) объём оперативки, любая нагрузка сказывается. Но, опять же, опираясь на чужие исследования, могу передать их результаты вам. В среднем потеря производительности в скорости именитыми бенчмарками в различных тестах с уменьшением или увеличением таймингов в сборках с интегрированными или дискретными картами колеблется в районе 5%
. Считайте, что это устоявшееся число. А много это или мало, вам судить.

Прочитано:
1 168

Вопрос: Будут ли корректно работать в Dual Chanel планки с разными таймингами?

Есть планка памяти 8 Гб 1600 Мгц DDR3. (тайминги 9-9-27)

Если я возьму вторую планку с такими характеристиками но с таймингами 10-10-10, они будут коректно работать в Dual Chanel?

Ответ:
Скорей всего система найдёт оптимальную схему таймингов. Ну а двухканальный режим будет работать независимо от таймингов или чего-то подобного. Главное чтобы система запустилась, ну и, естественно, поставить модули в соответствующие слоты.

Вопрос: 2 планки Озу с разным таймингом

Здравствуйте… Такое дело стоят на компе 2 планки по 4Г DDR3.. Вопрос такой… то что у них Тайминги отличаются влияет на общую производительность?? вот файл из AIDA64

Ответ:

Сообщение от Linoge

Даже если будут разные

alukarddemon0
, в любом случае система настраивает всю
память так, чтобы они работали с одинаковыми
таймингами.

Вопрос: Совместимость оперативной памяти разных производителей

Добрый день, уважаемые форумчане! Есть к Вам вопрос. Значит имеем:
Материнская плата — Gigabyte GA P55A UD3,
Процессор — Intel Core I5 760,
Видео — GTS — 450,
Опрератвная память — Good Ram DDR3 1333 2 планки по 2 гигабайта.
Собственно вопрос будет по оперативной памяти. Появилась у меня необходимость увеличить объем с 4-х до 8-и гигабайт, идея была взять 2 планки по 4 гига, а старые по 2 снять, но, как говорится, выбирать особо не приходится, живу я в Луганской области, мало того, что город не большой, выбора практически нет, так еще и положение такое, что никто ничего не возит. Ну ладно в принципе, удалось мне значит приобрести еще 2 планки по 2 гига, только другого производителя (Team Group Elite DDR3 1333), тайминги, частота и объем совпадают, но есть одно но.
Имеется на матери 4 слота А1 В1 А2 В2 вставляю я так:
Good Ram DDR3 1333 2 х 2gb в слоты А1 А2
Team Group Elite DDR3 1333 2 х 2gb в слоты В1 В2
Проблема, память видит все 8 gb, но вываливается синий экран, периодически зависает и сам перезагружается.
Меняю местами:
Good Ram DDR3 1333 2 х 2gb в слоты В1 В2
Team Group Elite DDR3 1333 2 х 2gb в слоты А1 А2
Те-же самые проблемы, как и в первом случае.
Установил так:
Good Ram DDR3 1333 2 х 2gb в слоты А1 В1
Team Group Elite DDR3 1333 2 х 2gb в слоты А2 В2
И, о чудо, компьютер ведет себя нормально, не виснет, не перегружается и не выпадает BSOD! К стати память гонял Memtest по одной планке, ошибок нет! Так вот сам вопрос, почему такое происходило, если планки по характеристикам идентичны, но разного производителя. И нормально ли то, как я сделал в третьем случае, т.е. посадил в один канал планки разных производителей?

Ответ:
Да, сразу не обратил внимание, различие в этих планках есть! На GoodRam: 2 ранка, 8 банков, на Team Elit: 1 ранк, 8 банков!

Вопрос: Целесообразность покупки 3 планки (о таймингах)

Всем привет.
У меня такая ситуация.
Материнская плата + i3-8100
Сейчас стоит 2 планки памяти
В компьютере стоит ssd+hdd, система на ssd, файл подкачки перенесла на hdd. Размер файла подкачки фиксированный 8гб.
Система windows 10 корпоративная 2016 с долгосрочным обслуживанием.

Собственно есть проблема и есть вопрос.

Проблема, памяти не хватает в некоторых играх. или программах+браузер.
Об этом мне говорит виндовс и просит завершить задачу.
Имеет ли смысл покупать еще 1 планку на 4 гб Ballistix Sport?
как себя будут вести 3 планки в материнской плате, которая поддерживает только двухканальный режим?

Вопрос. Тайминги. Какие лучше выставить тайминги для этой конфигурации?
Сейчас CPU-Z показывает срин.

Ответ:

Сообщение от iLisya

файл подкачки перенесла на hdd. Размер файла подкачки фиксированный 8гб.

А попробуйте поставить «по выбору системы» и посмотрите что получится. А потом перенесите на ссд и оставьте «по выбору системы» и сравните. скорость работы приложений.

Вопрос: Планки не работают вместе

Всем привет. Недавно подарили две планки по 2гб, до этого были 2 планки по 1 гб. Вместе они не работают (все 4). На моей материнской плате K9n Ultra MSI есть 4 слота. 2 слота MM1 MM2 зеленого цвета, 2 слота MM3 MM4 оранжевого цвета. По дефолту планки стояли планки в зеленых слотах, при добавлении в оранжевые слоты — пк не загружается(дальше анимации флажка Windows не доходит). Если вставить планки таким способом: 1-1-1-0 или 1-1-0-1, то монитор не отображает, то есть кулеры работают, а отображения нет(даже на клавиатуре лампочки не загораются).
На всех планках одинаковая частота и вольтажность. Только на одной планке другой тайминг.
На 2 планках Kingston KVR800D2n5/1гб и 1 планке Nanya M2Y2G64TU8HD5B-AC/2гб тайминг такой:
5-5-5-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-51-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-26-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
на 4 планке в 2 гб Samsung M3 78T5663Eh4-CF7 тайминг такой
6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-51-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Все планки DDR2 sdram (400mhz), ddr2-800. Мать поддерживает максимально 8 гб.
Как мне запустить все планки вместе?
P.S.: BIOS свежий. Не идет дальше анимации флажка на windows x64, а на 32 все работает, но доступна память из зеленых слотов.
http://www.nix.ru/autocatalog/mother…RII_54526.html — мат. плата

Ответ:

На всякий случай.

Как восстановить ножки на процессоре (видео)

Вопрос: Разные вольтажи ОЗУ — критично или нет?

Доброго времени суток. Задался таким вопросом. У меня сейчас стоит ОЗУ 2×4 Gb 1600 MHz 9-9-9-27 1.65V, но столкнулся с нехваткой оперативки, потому решил докупить еще 2 планки. Однако в магазинах сейчас практически не найти планки с вольтажом 1.65, вся под 1.5V заточена. Поэтому возникает вопрос: если я докуплю планки с таймингом 9-9-9-24 и вольтажом 1.5V, не станут ли они конфликтовать с имеющейся у меня парой?

Ответ:
Обычно напряжение 1.65V для разгонных профилей. То есть для разгона. Стандартное напряжение таких модулей всё равно 1.5V для JEDEC (стандартных) профилей.

Вопрос: Какие основные правила существуют для постановки второй планки в дополнении к первой

Всем доброго времени суток! Может ли кто нибудь рассказать, какие правила существуют для увеличения оперативной платы? Какими характеристиками должна обладать дополняемая планка? Я слышал что тактовые частоты обоих планок должны совпадать, так же как и объём. Так ли это? И какие ещё правила существуют?

Ответ:

Сообщение от Evg

Т.е. в теории может быть, что тайминги на частоте 1333 у двух планок разные, а на частоте 1600 они совпадают, поэтому данные планки смогут работать в паре на частоте 1600 и не смогут на частоте 1333. Это так?

Нет, почти всегда работать она все равно сможет на наибольших таймингах — на меньших скоростях.
Тайминги это не времена зарядов/разрядов ячеек, а задержки после подачи команды до получения данных или выполнения действия.

Например чтение
подается команда открытия строки row a
ожидается Trcd (третий параметр)
подается команда выбора столбца col a
ожидается CL (первый параметр)
и с шины данных считывается результат содержимого ячейки памяти a из строки a
кстати до окончания ожидания результата может быть подан сигнал на следующий столбец, и следующий т е
col a, col b, col c и соответственно через CL будут получены последовательно 3 ячейки.

По сути тайминги это приведенное время работы обслуживающей системы памяти — тоже зарядка емкостей (только не тех что хранят данные) и переключение транзисторов.

Напряжение влияет, на бОльших частотах для зарядки емкостей за меньшее время необходимо большее напряжение.
Поэтому например для ddr3 на 1333 все работают на 1.5В, а на 1600 может уже потребоваться 1.6-1.65В для стабильной работы.

Вопрос: Две одинаковых планки не работают одновременно

Доброго времени суток!
Материнка Asus P5G41T-M LX3
Проц Intel e5700
Оперативки 2 по 2GB PNY Technologies Europe 64B0MHHHJ8G09 1333MHz. Memory Timings. CL 9(обе одинаковые,все цифры с наклейки на ней совпадают)

Началось с того,что перестала работать звуковая на старой материнке. Решилось всё её заменой.
На новой материнке сначала появлялись BSOD-ы(много разных ошибок) + ошибка «видеодрайвер перестал отвечать и был восстановлен»
Я попробовал переустановить Windows,но во время установки появлялась ошибка,одна и та же с нескольких дисков/флешек.
Прочел на одном из форумов совет снять одну планку оперативки,винда установилась. После этого проверил оперативку мемтестом с загрузочной флешки. Тестировал первую,вторую и обе вместе. Ошибок нет,слоты впорядке. В биосе показывает 4 гига оперативки. Но с двумя планками компьютер не включается — полоса «загрузка файлов» и дальше «восстановление запуска» и всё по новой.

Прочел совет выставить тайминги вручную.Залез в биос,покрутил,»понял что ничего не понял» и сбросил настройки. Зашел обратно,тайминги поменялись,нажал F10(Save)
Перезагрузка и «overclocking failed or overvoltage failed please enter setup to reconfigure your system.F1 To Run Setup F2 to load defauld values and continue»
Нажал F2,система запустилась с двумя планками,в свойствах показывает 4GB оперативки,но после перезагрузки всё вернулось обратно.

В чем может быть проблема?

Добавлено через 3 минуты


В дополнение к вышесказанному:
На сайте материнки не нашел производителя «PNY Europe» в списке рекомендуемых ОЗУ.

Добавлено через 19 минут


Еще почитал пару тем на форуме:
BIOS обновлялся неделю назад до последней версии.
Мемтест работал примерно 3 часа (4 прохода,почти 5) без ошибок.

Ответ:

Сообщение от insidekazan

PNY Technologies Europe 64B0MHHHJ8G09 1333MHz

В списке поддержанных ее нет…Делаю вывод что они могут работать могут и не работать…Вместе…
В какие слоты вставлены?Одного цвета? если да- попробуйте вставить в слоты разного цвета…Как то такое встречал что двухканалка не катит для некоторых оперативок

Вопрос: Компьютер не видит планку ОЗУ

День добрый (не для меня).
Недавно, решил прикупить планку памяти для компьютера. Ибо до этого было всего 2 ГБ, а это уже совсем не солидно. Купил Hynix DDR3 1600 на 4 ГБ. (старая планка от KingMax DDR3 1333 на 2 ГБ). Вставил её в тот же канал (два канала на матери) что и мою старую планку. Никакого эффекта. Компьютер включился без каких либо изменений. Винда не видит ни новой памяти, ни самой планки. Пишет, что вставлена всего одна на 2 ГБ. Решил попробовать поставить её одну, без старой. В итоге, компьютер не запускается, а лишь издает короткие писки с интервалом небольшим, что говорит о наличии проблемы с оперативной памятью, насколько мне известно. Перетыкал её куда только мог, безрезультатно. Пробовал ставить их вместе в разные каналы. Если старая оператива стоит в А1, а новая в А2 или Б2, то никаких проблем (и изменений). Её просто не видит компьютер. Если старая стоит в А1, а новая в Б1, то компьютер лишь шумит куллерами, пока я любуюсь черным экраном. Биос тоже не видит новую планку. Я ковырялся по многим форумам, решения не нашел. Решил написать самостоятельно, буду благодарен за любую помощь.

Вот мои планки

Вот такие купил

Материнка: asus m4a77t
Предыдущие вставлены в синие слоты, а новые в черные слоты.
Буду очень признателен, если подскажите. Завтра если что верну их обратно.

Ответ:
Во-первых спасибо, что сразу ответили. Проблема решилась.
Я просто раньше не вставлял оперативную память и рано запаниковал. До этого просто покупал жесткий диск и тоже не заработало, оказался изначально бракованный, вот и подумал, что снова мне повезло.
На самом деле одна из причин загорания красного светодиода на плате материнской — это когда вы не до конца вставили оперативную память, то есть именно, чтобы вставить её и защелкнуть с двух сторон соответствующими фиксаторами. У меня просто как то плохо они защелкиваются, пришлось наклонять карту памяти, чтобы защелкнуть один фиксатор, а потом другой. На видео обычно это делалось полегче.

А так из проблем возможных:
-32 битная версия виндоуса
-ввести в коммандной строке msconfig -> вкладка загрузка -> дополнительные параметры -> снять галочку с параметра максимум памяти.

Ну и если разные по скорости, обьему. То посмотрите в гугле как вставлять разные варианты, когда 2 или 3 или 4 карты. И разные вариации по скорости, объему.
Если одна планка имеет меньшую скорость чем другую, то работать будут оба на минимальной.

Модуль памяти A-Data с тактовой частотой DDR3-1333 устанавливает тайминги 9-9-9-24, при понижении рабочей частоты до DDR3-1066 тайминги уменьшаются всего лишь до значений 8-8-8-20.

Пропускная способность памяти

Пропускная способность
– характеристика памяти, от которой зависит производительность и от которая выражает как произведение частоты системной шины на объем данных, передаваемых за такт. Однако, частота работы модуля памяти и теоретическая пропускная способность не единственные параметрами, которые отвечают за производительность системы. Не менее важную роль играет и тайминги памяти.

Пропускная способность (Пиковый показатель скорости передачи данных)
– это комплексный показатель возможности RAM, в нем учитывается частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов памяти. Частота указывает потенциал шины памяти за такт – при большей частоте, можно передать больше данных.

Пиковый показатель вычисляется по формуле:

Пропускная способность


(B) = Частота передачи (f) x разрядность шины (c) x количество каналов памяти(k)

Если рассматривать на примере DDR400 (400 МГц) с двухканальным контроллером памяти пиковый показатель скорости передачи данных равен:
(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

На 8 мы поделили, чтобы перевести Мбит/с в Мбайт/с (в 1 байте 8 бит).

Пропускная способность

Для быстрой работы компьютера пропускная способность шины оперативной памяти должна совпадать с пропускной способности шины процессора. К примеру, для процессораIntel core 2 duo E6850
с системной шиной 1333 MHz и пропускной способностью 10600 Mb/s, нужно купить две оперативные памяти с пропускной способностью 5300 Mb/s каждая (PC2-5300), в сумме они будут иметь пропускную способность системной шины (FSB) равную 10600 Mb/s.

При высоких скоростях обработки данных присутствует один минус – высокое выделения тепла. Для этого производители уменьшили напряжение питания памяти DDR3 до 1.5 В.

Двухканальный режим

Для увеличения скорости обмена данных и увеличения пропускной способности современные чипсеты поддерживают двухканальную архитектуру памяти.

Если установить два, абсолютно идентичных, модули памяти, тогда будет использован двухканальный режим. Лучше всего использовать Kit
– набор из двух и более модулей памяти, которые уже были проверены при работе с друг другом. Эти модули памяти одного производителя, с одинаковым объемом и одинаковой частотой.

При использовании двух идентичных модуля памяти DDR3 в двухканальном режиме позволяет повысить пропускную способность до 17.0 Гбайт/с. Если использовать оперативную память с 1333 Мгц, то пропускная способность повысится до 21.2 Гбайт/с.

Тайминги памяти

Тайминги, латентность, CAS Latency, CL
. Довольно часто в описании товара эти параметры не указывают, а ведь именно они характеризуют быстродействие оперативной памяти. Чем меньше значения, тем быстрее работает оперативная память. Старайтесь выбирать оперативную память с наименьшим таймингом и желательно из модулей памяти с одинаковым объемом памяти и рабочей тактовой частой. Однако, к примеру модули памяти с тактовой частотой DDR-800, 5-5-5-18 и DDR3-1066, 7-7-7-20 по производительности можно считать равноценными.

Тайминги

Тайминги
— временные задержки сигнала. Тайминги измеряют в наносекундах (нс). Мера таймингов – такт. В описании оперативной памяти они указываются в виде последовательности чисел (CL5-5-4-12 или просто 9-9-9-24), где по порядку указываются следующие параметры:

CAS Latency
– задержка между командой чтения и доступностью к чтению первого слова.

RAS to CAS Delay (RCD)
— задержка между сигналами RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe), этот параметр указывает интервал между доступами на шину контроллером памяти сигналов RAS# и CAS#.

RAS Precharge Time (RP)
– время повторной выдачи (период накопления заряда) сигнала RAS# – через какое время контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.

DRAM Cycle Time Tras/Trc
– суммарный показатель быстродействия модуля памяти

Если в описании указан только один параметр CL8, то она означает только первый параметр – CAS Latency.

Многие материнские платы, при установке на них модулей памяти, устанавливают для них не максимальную тактовую частоту. Одна из причин – это отсутствие прироста производительности при повышении тактовой частоты, ведь при повышении частоты повышаются рабочие тайминги. Конечно, это может повысить производительность в некоторых приложениях, но и понизить в других, а может и вообще никак не повлиять на приложения, которые не зависят от задержек памяти или от пропускной способности.

Для примера. Модуль памяти Corsair установленный на материнскую плату M4A79 Deluxe будет иметь такие тайминги: 5-5-5-18. Если увеличить тактовую частоту памяти до DDR2-1066, тайминги увеличатся и будут иметь следующие значения 5-7-7-24.

Модуль памяти Qimonda при работе на тактовой частоте DDR3-1066 имеет рабочие тайминги 7-7-7-20, при увеличения рабочей частоты до DDR3-1333 плата устанавливает тайминги 9-9-9-25. Как правило, тайминги прописаны в SPD и для разных модулей могут отличаться.

В данном исследовании мы попробуем найти ответ на следующий вопрос — что важнее для достижения максимальной производительности компьютера, высокая частота оперативной памяти или же ее низкие тайминги. А помогут нам в этом два комплекта оперативной памяти производства Super Talent.
Давайте посмотрим, как выглядят модули памяти внешне, и какими характеристиками обладают.

⇡ Super Talent X58

Данный комплект производитель «посвятил» платформе Intel X58, о чем свидетельствует надпись на наклейке. Однако здесь сразу же возникает несколько вопросов. Как всем хорошо известно, для достижения максимальной производительности на платформе Intel X58 настоятельно рекомендуется использовать трехканальный режим работы оперативной памяти. Несмотря на это, данный комплект памяти Super Talent состоит лишь из двух модулей.
Конечно, у ортодоксальных сборщиков систем такой подход может вызвать недоумение, однако рациональное зерно в этом все же есть. Дело в том, что сегмент топовых платформ относительно невелик, и большинство персональных компьютеров используют оперативную память в двухканальном режиме. В этой связи покупка комплекта из трех модулей памяти обычному пользователю может показаться неоправданной, а если необходимо действительно много оперативной памяти, можно приобрести три комплекта по два модуля в каждом.
Производитель указывает, что память Super Talent WA1600UB2G6 может работать на частоте 1600 МГц DDR при таймингах 6-7-6-18. Теперь давайте посмотрим, какая информация зашита в SPD профиле этих модулей.

И опять наблюдается некоторое несоответствие реальных и заявленных характеристик. Максимальный профиль JEDEC предполагает работу модулей на частоте 1333 МГц DDR при таймингах 9-9-9-24. Впрочем, присутствует расширенный профиль XMP, частота которого совпадает с заявленной — 800 МГц (1600 МГц DDR), но тайминги несколько отличаются, причем в худшую сторону — 6-8-6-20, вместо 6-7-6-18, которые указаны на наклейке.
Тем не менее, данный комплект оперативной памяти без проблем работал в заявленном режиме — 1600 МГц DDR при таймингах 6-7-6-18 и напряжении 1,65 В. Что касается разгона, то более высокие частоты модулям не покорились, несмотря на установку повышенных таймингов и увеличение напряжения питания. Более того, при увеличении напряжения Vmem до уровня 1,9 В наблюдалась нестабильность работы и в исходном режиме.
К сожалению, радиаторы очень прочно приклеены к чипам памяти, поэтому мы не рискнули их снимать, опасаясь повредить модули памяти. А жаль, тип используемых микросхем мог бы пролить свет на такое поведение модулей.

⇡ Super Talent P55

Второй комплект оперативной памяти, который мы рассмотрим сегодня, производитель позиционирует как решение для платформы Intel P55. Модули оснащены низкопрофильными радиаторами черного цвета. Максимальный заявленный режим предполагает работу данных модулей на частоте 2000 МГц DDR при таймингах 9-9-9-24 и напряжении 1,65 В.
Теперь посмотрим на зашитые в SPD профили.

Наиболее производительный профиль JEDEC предполагает работу модулей на частоте 800 МГц (1600 МГц DDR) при таймингах 9-9-9-24 и напряжении 1,5 В, а профили XMP в данном случае отсутствуют.
Что касается разгона, то при небольшом повышении таймингов данные модули памяти оказались способны работать на частоте 2400 МГц DDR, о чем свидетельствует скриншот ниже.

Более того, система загружалась и при частоте модулей 2600 МГц DDR, однако запуск тестовых приложений приводил к зависанию или перезагрузке. Как и в случае с предыдущим комплектом памяти Super Talent, данные модули никак не реагировали на повышение напряжения питания. Как оказалось, лучшему разгону памяти и стабильности работы системы более способствовало увеличение напряжения контроллера памяти, встроенного в процессор. Впрочем, поиск максимально возможных частот и параметров, при которых достигается стабильность работы в таких экстремальных режимах, оставим энтузиастам.
Далее мы сосредоточимся на изучении следующего вопроса — в какой степени частота работы оперативной памяти и ее тайминги влияют на общую производительность компьютера. В частности, мы попробуем выяснить, что лучше — установить скоростную оперативную память, работающую с высокими таймингами, или же предпочтительнее использовать как можно более низкие тайминги, пусть и не при максимальных рабочих частотах.

⇡ Условия тестирования

Тестирование проводилось на стенде следующей конфигурации. Во всех тестах процессор работал на частоте 3,2 ГГц, причины этого будут объяснены ниже, а мощная видеокарта была необходима для тестов в игре Crysis.

Как уже говорилось выше, мы попробуем выяснить, как частота работы оперативной памяти и ее тайминги влияют на общую производительность компьютера. Конечно, данные параметры можно просто задать в BIOS и провести тесты. Но, как оказалось, при частоте Bclk равной 133 МГц, диапазон рабочих частот оперативной памяти в использованной нами материнской плате составляет 800 — 1600 МГЦ DDR. Этого оказывается недостаточно, ведь один из рассматриваемых сегодня комплектов памяти Super Talent поддерживает режим DDR3-2000. Да и вообще, скоростных модулей памяти выпускается все больше, производители уверяют нас в их небывалой производительности, так что выяснить их реальную производительность определенно не помешает.
Для того, чтобы установить частоту памяти, скажем, 2000 МГц DDR, необходимо увеличить частоту шины Bclk. Однако при этом изменятся частоты как ядра процессора, так и его кэш-памяти третьего уровня, которая работает с той же частотой, что и шина QPI. Разумеется, сравнивать результаты, полученные в таких разных условиях, некорректно. Кроме того, степень влияния частоты CPU на результаты тестирования может оказаться куда значительнее таймингов и частоты оперативной памяти. Возникает вопрос — нельзя ли как-то обойти эту проблему?
Что касается частоты процессора, то в некоторых пределах ее можно изменять с помощью множителя. Однако при этом желательно выбирать такое значение частоты bclk, чтобы итоговая частота оперативной памяти была равна одному из стандартных значений 1333, 1600 или 2000. Как известно, в настоящее время базовая частота bclk в процессорах Intel Nehalem равна 133.3 МГц. Давайте посмотрим, какова будет частота оперативной памяти при разных значениях частоты шины bclk с учетом множителей, которые может выставить используемая нами материнская плата. Результаты приведены в таблице ниже.

Частота bclk, МГц
133.(3)
150
166.(6)
183.(3)
200
Множитель памяти
Частота оперативной памяти, МГц DDR
6 800
900 1000 1100 1200
8 1066
1200 1333
1466 1600
10 1333
1500 1667 1833 2000
12 1600
1800 2000
2200 2400

Как видно из таблицы, при частоте bclk равной 166 МГц, для оперативной памяти можно получить частоты 1333 и 2000 МГц. Если частота bclk равна 200 МГц, то получаем совпадение частот оперативки при 1600 МГц, а также требуемые 2000 МГц. В остальных случаях совпадений со стандартными частотами памяти не наблюдается.
Так какую же частоту bclk в итоге предпочесть — 166 или 200 МГц? Ответ на этот вопрос подскажет следующая таблица. Здесь приведены значения частоты CPU, в зависимости от множителя и частоты bclk. Для оценки влияния таймингов нам необходимы не только одинаковые частоты памяти, но и CPU, чтобы это не влияло на получаемые результаты.

Частота bclk, МГц
Множитель CPU
133.(3)
150.0
166.(6)
183.(3)
200.0
9
1200 1350 1500 1647 1800
10
1333 1500 1667 1830 2000
11
1467 1650 1833 2013 2200
12
1600 1800 2000 2196 2400
13
1733 1950 2167 2379 2600
14
1867 2100 2333 2562 2800
15
2000 2250 2500 2745 3000
16
2133 2400 2667 2928 3200
17
2267 2550 2833 3111
3400
18
2400 2700 3000 3294
3600
19
2533 2850 3167
3477 3800
20
2667 3000 3333 3660 4000
21
2800 3150
3500 3843 4200
22
2933 3300 3667 4026 4400
23
3067 3450 3833 4209 4600
24
3200
3600 4000 4392 4800

В качестве отправной точки мы брали максимальную частоту процессора (3200 МГц), которую он может показать при базовой частоте bclk равной 133 МГц. Из таблицы видно, что в данных условиях только при частоте bclk=200 МГц можно получить точно такую же частоту CPU. Остальные частоты хоть и близки к 3200 МГц, но не точно равны ей. Конечно, в качестве исходной можно было взять частоту CPU и поменьше, скажем — 2000 МГц, тогда можно было бы получить корректные результаты при всех трех значениях шины bclk — 133, 166 и 200 МГц. Тем не менее, мы отказались от этого варианта. И вот почему.
Во-первых, настольных процессоров Intel c архитектурой Nehalem с такой частотой нет, и вряд ли они появятся. Во-вторых, снижение частоты CPU более чем в 1,5 раза может привести к тому, что он станет ограничивающим фактором, и разница в результатах практически не будет зависеть от режима работы оперативной памяти. Собственно, первые прикидки именно это и показывали. В-третьих, вряд ли тот пользователь, который покупает заведомо слабый и дешевый процессор, будет сильно озабочен вопросом выбора дорогой скоростной оперативной памяти.
Итак, мы будем тестировать при значениях базовой частоты bclk — 133 и 200 МГц. Частота CPU в обоих случаях одинакова и равна 3200 МГц. Ниже приведены скриншоты утилиты CPU-Z в данных режимах.

Если вы обратили внимание, частота QPI-Link зависит от частоты bclk и, соответственно, они отличаются в 1,5 раза. Это, кстати, позволит выяснить, как влияет частота кэш-памяти третьего уровня в процессорах Nehalem на общую производительность. Итак, приступим к тестированию.

Для чего нужны тайминги на оперативной памяти

Латентность (в т.ч. англ. CAS Latency, CL ; жарг. тайминг) — временна́я задержка сигнала при работе динамической оперативной памяти со страничной организацией, в частности, SDRAM. Эти временны́е задержки также называют таймингами и для краткости записывают в виде трех чисел, по порядку: CAS Latency, RAS to CAS Delay и RAS Precharge Time. От них в значительной степени зависит пропускная способность участка «процессор-память» и задержки чтения данных из памяти и, как следствие, быстродействие системы.

Мера таймингов — такт шины [ какой? ] памяти. Таким образом, каждая цифра в формуле 2-2-2 означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах шины памяти. Если указывается только одна цифра (например, CL2), то подразумевается только первый параметр, то есть CAS Latency.

Иногда формула таймингов для памяти может состоять из четырёх цифр, например 2-2-2-6. Последний параметр называется «DRAM Cycle Time Tras/Trc» и характеризует быстродействие всей микросхемы памяти. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Производители обычно снабжают свои чипы, на основе которых построена планка памяти, информацией о рекомендуемых значениях таймингов, для наиболее распространенных частот системной шины. На планке памяти информация хранится в чипе SPD (англ.) русск. и доступна чипсету. Просмотреть эту информацию можно программным образом, например, программой CPU-Z.

С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти, до её покупки. Таймингам памяти поколений DDR и DDR2 придавалось большое значение, поскольку кэш процессора был относительно мал и программы часто обращались к памяти. Таймингам памяти поколения DDR3 уделяется меньше внимания, поскольку современные процессоры (например AMD Bulldozer, Trinity и Intel Core i5, i7) имеют сравнительно большие L2-кэши и снабжены огромным L3-кэшем, что позволяет этим процессорам гораздо реже обращаться к памяти, а в некоторых случаях программа и её данные целиком помещается в кэш процессора (см. Иерархия памяти).

Содержание

Тайминги [ править | править код ]

Имя параметра Обозначение Определение
CAS-латентность CL Задержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда нужная строка уже открыта.
Row Address to Column Address Delay TRCD Число тактов между открытием строки и доступом к столбцам в ней. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти без активной строки — TRCD + CL.
Row Precharge Time TRP Число тактов между командой на предварительный заряд банка (закрытие строки) и открытием следующей строки. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда активна другая строка — TRP + TRCD + CL.
Row Active Time TRAS Число тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на TRCD. Обычно примерно равно сумме трёх предыдущих чисел.
Примечания:

  • RAS : Row Address Strobe — стробадреса строки
  • CAS : Column Address Strobe — строб адреса столбца
  • TWR : Write Recovery Time, время, между последней командой на запись и предзарядом. Обычно TRAS = TRCD + TWR.
  • TRC : Row Cycle Time. TRC = TRAS + TRP.

CAS-латентность [ править | править код ]

CAS-латентность (от англ. column address strobe latency , CAS latency , CL , CAS-задержка) — это период ожидания (выраженный в количестве циклов тактовой частоты шины памяти) между запросом процессора на получение содержимого ячейки памяти и временем, когда оперативная память сделает доступной для чтения первую ячейку запрошенного адреса [ уточнить ] .

Модули памяти SDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 1, 2 или 3 циклам. Модули DDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 2 или 2.5.

На модулях памяти обозначается как CAS или CL. Пометка CAS2, CAS-2, CAS=2, CL2, CL-2 или CL=2 обозначает величину задержки, равную 2.

Здравствуйте, гости моего блога.

Решил написать статью о том, что такое тайминги оперативной памяти, так как заметил, мало кто уделяет должное внимание этому параметру при выборе устройства. Хотя именно по нему определяется производительность ОЗУ при одинаковой тактовой частоте и других одинаковых характеристиках.

Я уже писал на данную тему, но на этот раз хочу подробнее на ней остановиться, чтобы даже начинающие пользователи знали, что значат «непонятные» цифры, указанные на оперативке. Таким образом, начну с азов.

Принцип работы ОЗУ

Мне проще будет объяснить назначение таймингов, если вы сначала поймете, как функционирует оперативная память. Она имеет динамический характер, то есть нуждается в постоянной подаче электроэнергии. Поэтому при каждой перезагрузке компьютера вы теряете то, что было в кэше.

Микросхема включает в себя ячейки в виде конденсаторов. Они получают заряд при записи логической единицы и разряжаются при внесении нуля. Все ячейки структурированы по форме двухмерных матриц, а доступ к каждой открывается путем указания адреса определенной строки RAS (Row Access Strobe) и столбца CAS (Acess Strobe).

Их выбор делается при помощи стробирующего импульса, то есть изменения уровня напряжения от большого к малому. Синхронизированый с тактирующим импульсом сигнал для активации пускается поочередно: сначала на строку, а потом на столбец. Если производится запись, то дается еще один импульс допуска к ней — WE (Write Enable), работающий по тому же принципу.

Далее вы поймете, зачем я всё это рассказывал.

Суть таймингов

Данные параметры показывают, сколько времени требуется оперативке для выполнения тех или иных операций со столбцами и строками, чтобы записать информацию в ячейку или прочитать из нее. Тайминги измеряются в тактах системной шины. Как вы понимаете, чем меньше эти значения, тем лучше.

Если вы рассматривали планку, то должны были заметить обозначения типа DDR3 1600 МГц 9-9-9-24. Последние указанные через дефис цифры показывают количество тактовых импульсов для 4-х таймингов. Самый важный из них — первый, поэтому может быть прописан на этикетке только он. Однако мы разберем поочередно все, чтобы вы понимали, на что они влияют.

CAS Latency

Первые 3 буквы расшифровываются как Column Address Strobe (строб-сигнал адреса колонки). Это тот параметр, который указывается в начале. Он показывает тактовую задержку, требуемую модулю для выбора нужного столбца в строке памяти, чтобы прочитать определенную информацию.

Попробую упростить свое объяснение: CL — это время между получением команды на чтение и ее выполнением. Запрос на данную операцию поступает к ОЗУ от процессора, а к нему, в свою очередь, от вас.

Вот поэтому данный параметр и является самым важным — он показывает скорость работы оперативки.

RAS-CAS

С этими двумя аббревиатурами вы уже встречались, когда я описывать принцип действия модуля памяти. Сокращенно этот тайминг называется tRCD. Он показывает количество тактов от снятия импульса RAS (выбором нужной строки) к подаче сигнала CAS (нахождением столбца в строке). Иными словами, это отрезок времени между получением команды «Active» и выполнением поступающей после нее команды «Read» (чтение) или «Write» (запись).

RAS Precharge

Данный тайминг рассказывает о количестве тактов между сигналом на предварительную зарядку одной строки данных и получением доступа к следующей. Проще говоря, он показывает, сколько времени проходит между завершением обработки одной строки и переходом к другой (от команды «Precharge» до «Active»).

Row Active

Также вы можете встретить такое название как tRAS (time of Active to Precharge Delay). Этот параметр определяет задержку, в течение которой активна одна строка.

Узнаем число тактов своего модуля

Интересно, сколько таймингов имеет установленная в вашем компьютере оперативка? Вам не придется его разбирать, так как этикетка на планке — не единственный вариант, где можно посмотреть данные значения.

Я уже писал об этом в предыдущей статье, но повторюсь для тех, кто ее пропустил. Вам нужно скачать утилиту CPU-Z . Когда запустите ее, перейдите на вкладку «Memory» и увидите все 4 тайминга и даже больше. Вообще, это полезная программа, поэтому не поленитесь ее установить.

Изменение таймингов

Если вы хотите разогнать оперативную память, наверняка задаетесь вопросом, можно ли изменить значения временных задержек? Можно.

Обычно они устанавливаются автоматически, когда вы подключаете модуль к материнской плате. Но зайдя в биос, есть возможность настроить их вручную. Для этого вам потребуется раздел «Advanced Chipset» и опция «DRAM Timings». Однако если вы не уверены в своих действиях, лучше оставьте вариант Auto, ибо могут случится неприятные последствия при неправильных настройках.

Возможно когда — нибудь напишу об этой теме более подробно.

Подписывайтесь на обновления моего блога, чтобы не пропускать самое интересное.

Что означают эти непонятные цифры на оперативной памяти для ПК? Ведь тайминги напрямую влияют на ее быстродействие, но их величина — это вовсе не объем и не скорость. Рассказываем понятным языком и объясняем, какие параметры лучше.

При выборе оперативной памяти для ПК многие пользователи сталкиваются с вопросом изучения характеристик чипов, в том числе рабочих частот и таймингов. Но если с первыми все понятно — чем они выше, тем быстрее память, то со вторыми не все так просто. Мы расскажем, для чего нужен этот параметр и как выбрать планку с оптимальными значениями таймингов.

Что влияет на скоростные параметры ОЗУ

От скоростных показателей оперативной памяти зависит как быстро будет осуществляться обмен данными между процессором и жестким диском и системой. Чем выше частота работы чипов, тем больше операций чтения/записи она может выполнить в единицу времени. Конечно, от объема оперативной памяти также зависит общее быстродействие ПК, но лишь в определенных программах.

Это может быть интересно:

Характеристики памяти

Возьмем конкретный пример: планка оперативной памяти DDR3 1600 RAM имеет в обозначениях еще и такие характеристики, как PC3 12800, а у модуля DDR4 2400 RAM указано PC4 19200. Что это означает? Первая цифра указывает на частоту работы памяти в МГц, то вторая связана с битами:

1 байт = 8 бит

Из этого можно вычислить, что DDR3 с частотой 1600 МГц сможет обработать 12800 МБ/сек. Аналогично этому DDR4 2400 сможет попустить через себя данные со скоростью 19200 МБ/сек. Таким образом, со скоростью обработки данных разобрались.

Теперь плавно переходим к таймингам. Эти цифры также указывают на наклейках на оперативной памяти в виде счетверённых через дефис цифр, например, 7-7-7-24, 8-8-8-24 и т.д. Эти цифры обозначают, какой промежуток времени (задержка) необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти.

Эта задержка характеризует, какое количество тактовых импульсов необходимо для считывания данных из ячеек памяти для 4-х таймингов. Самый важный из четырех цифр — первый, и на этикетке может быть написан только он.

Это может быть интересно:

Поэтому, в этих характеристиках действует обратный принцип: чем меньше числа, тем выше скорость. А меньшая задержка обеспечит быстрее считать или записать данные в ячейку памяти и затем достигнут процессора для обработки.

Тайминги замеряют период ожидания (CL, CAS Latency, где CAS — Acess Strobe) чипа памяти, пока он обрабатывает текущий процесс. Т.е. это время между получением команды на чтение и ее выполнением.

Со следующими двумя цифрами все несколько сложнее. Вторая цифра в строке таймингов RAS-CAS, ) является ни чем иным, как отрезок времени между получением команды «Active» и выполнением поступающей после нее команды на чтение или запись. Здесь также — чем меньше, тем лучше.

Третья цифра, это RAS Precharge — время, за которое проходит между завершением обработки одной строки и переходом к другой.

И последняя цифра демонстрирует параметр памяти Row Active. Он определяет задержку, в течение которой активна одна строка в ячейке.

Какие тайминги лучше выбирать

Допустим вы покупаете для своего ноутбука комплект оперативной памяти из двух планок DDR. В этом случае тайминги будут одинаковые у обеих модулей, что определяет их стабильную работу. Что касается величины, то определяющей является первая цифра, обозначаемая, как CL-9. А значения 9-9-9-24 можно охарактеризовать, как средние по быстродействию.

Вы также можете подобрать себе оперативную память в качестве апгрейда. Здесь также нужно придерживаться правила равных таймингов, и не допускать, чтобы какой-то из них, например, опережал почти на треть цикла.

Если же вы намерены установить на ПК самую быструю память, что следует учесть, что, например, тайминги 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21 могут обеспечить очень быстрый доступ к данным, но процессор и материнская плата не смогут этим воспользоваться. При этом важно, чтобы в материнской была возможность вручную установить тайминги для ОЗУ.

Как узнать тайминги оперативной памяти

Для этих целей не обязательно вскрывать корпус и вытаскивать из слотов планки оперативной памяти. Специальная бесплатная утилита CPU-Z позволит быстро узнать нужные цифры таймингов. Скачать ее можно с сайта программы.

Как посчитать тайминг самому

Для вычисления таймингов самостоятельно можно использовать довольно простую формулу:

Время задержки (сек) = 1 / Частоту передачи (Гц)

Таким образом, из скриншота с CPU-Z можно высчитать, что модуль DDR 3, работающий с частотой 400 МГц (половина декларируемого производителем значения, т.е. 800 МГц) будет выдавать примерно:

1 / 400 000 000 = 2,5 нсек (наносекунд)

периода полного цикла (время такта). А теперь считаем задержку для обоих вариантов, представленных в рисунках. При таймингах CL-11 модуль будет выдавать задержки периодом 2,5 х 11 = 27,5 нсек. В CPU-Z это значение показано как 28. Как видно из формулы, чем ниже каждый из указываемых параметров, тем быстрее будет ваша оперативная память работать.

Как вручную задать тайминги в BIOS

Такая возможность есть не в любой материнской плате — лишь в оверклокерских модификациях. Вы можете попробовать выставить тайминги вручную из предлагаемых системой значений, после чего нужно внимательно следить за стабильностью работы ПК под нагрузкой. Если в БИОС специальных настроек не предусмотрено, то стоит смириться с теми, которые установлены по умолчанию.

Читайте также:

Фото: компании-производители

Что такое и как узнать тайминги (латентность) в оперативной памяти

На чтение 12 мин Просмотров 741 Опубликовано Обновлено

В этой статье мы разберемся, что такое тайминги оперативной памяти. Узнаем какие параметры латентности лучше для скорости и как их посмотреть на компьютере или ноутбуке. Поймем, как правильно подобрать и выставить тайминги оперативки и на что они влияют. Дам ссылку на калькулятор таймингов и таблицу для основных типов памяти и частот.

Обычно при выборе оперативной памяти для настольного ПК или ноутбука, мы смотрим на объём ОЗУ, тактовую частоту и тип памяти DDR для ее совместимости с материнской платой. Однако у оперативки есть еще такая характеристика, как тайминги или по научному — латентность. И вот на этот параметр обращают внимание только специалисты и продвинутые геймеры.

Да, латентность менее важна, чем объем модуля и его рабочая частота, но при грамотном подходе ее уменьшение может дать пусть и не большое, но все же ускорение работы вашего компьютера. Чем более грамотно и сбалансированно подобраны комплектующие ПК или ноутбука, тем больше может дать прироста в скорости установка памяти с меньшими таймингами.

Чем выше частота и ниже тайминги, тем быстрее работает оперативка.

Разбираемся с основными значениями таймингов

Латентность (от англ. CAS Latency сокращенно CL) в обиходе “тайминг” — это временные задержки, которые возникают при обращении центрального процессора к ОЗУ. Измеряют эти задержки в тактах шины памяти.

Чем меньше значения таймингов, тем быстрее происходит обмен данными между процессором и памятью и значит тем производительней оперативная память.

Каждая временная задержка имеет свое название и отвечает за скорость передачи определенных данных. В технических характеристиках оперативной памяти их записывают в строгой последовательности в виде трех или четырех чисел: CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time и DRAM Cycle Time Tras/Trc (Active to Precharge Delay). Сокращенно это может выглядеть так: CL-RCD-RP-RAS.

Большинство производителей указывают тайминги в маркировке на модулях памяти. Это могут быть 4 цифры, например: 9-9-9-24, или только одна, например CL11. В этом случае имеется ввиду первый параметр, то есть CAS Latency.

Теперь разберемся с этими задержками более подробно.

Для наглядного примера возьмем пару планок памяти DDR3 1600 Мгц по 8 Gb каждая с таймингами 11-11-11-28.

На планке памяти данная информация хранится в чипе SPD и доступна чипсету материнки. Посмотреть эту информацию можно с помощью специальных утилит, например CPU-Z или HWINFO.

Тайминги памяти в программах CPU-Z и HWINFO

CAS Latency (tCL) — самый главный тайминг в работе памяти, который оказывает наибольшее значение на скорость ее работы. В характеристиках памяти всегда стоит первым. Указывает на промежуток времени, который проходит между подачей команды на чтение/запись информации и началом ее выполнения.

Это время можно измерить в наносекундах. Для этого лучше всего воспользоваться калькулятором. Вводим частоту в Мгц (у нас это 1600) и время задержки (11). На выходе получаем, что время задержки между подачей команды на чтение/запись данных и началом ее выполнения составляет 13.75 наносекунд.

По большому счету остальные задержки малозначительны и при выборе планок памяти достаточно обращать внимание только на этот параметр.

RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка от RAS до CAS. Время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS), до момента обращения к столбцу матрицы (CAS), в которых хранятся нужные данные.

RAS Precharge Time (tRP) — интервал времени с момента закрытия доступа к одной строке матрицы и началом доступа к другой строке данных.

Row Active Time (tRAS) — пауза, которая нужна памяти, чтобы вернуться в состояние ожидания следующего запроса. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Command Rate — скорость поступления команды. Время с момента активации чипа памяти до момента, когда можно будет обратиться к памяти с первой командой. Часто этот параметр в маркировке памяти не указывается, но всегда есть в программах. Обычно это T1 или T2. 1 или 2 тактовых цикла.

Как изменить

Изменить тайминги можно, как в сторону уменьшения, так и в сторону увеличения при помощи разгона. Для этого необходима тонкая настройка частоты работы модуля и его напряжения. Путем уменьшения или увеличения частоты работы памяти, так же уменьшаются или увеличиваются тайминги. Эти параметры подбираются индивидуально для каждого модуля памяти или наборов памяти.

Вот один из комментариев к памяти, о которой я рассказывал выше ⇓

Память очень достойная! С базовой частоты 1600 mhz удалось разогнать до 2200 mhz с таймингами 11-12-12-28 на напряжении 1.65v.

Разгон по частоте составил 27%, что очень хороший результат. При этом тайминги и напряжение были повышены минимально. Такой разгон довольно заметно сказался на всей скорости работы компьютера.

Весь смысл этого действа, подобрать такие оптимальные характеристики частоты, таймингов и напряжения, чтобы модуль/модули памяти выдавали максимальную скорость работы и при этом стабильно работали в таком режиме. Это требует времени и знаний.

Так же материнка должна поддерживать разгон оперативки. Сейчас есть планки памяти со встроенным XMP профилем. В нем уже прописаны заводские параметры разгона, с которыми память может работать. Вам остается только применить нужный XMP профиль и оперативка запуститься с этими параметрами.

В штатном режиме компьютер получает все настройки оперативной памяти из SPD — микросхемы, которая распаивается на каждом модуле. Но, если есть желание добиться максимальной производительности, целесообразно попробовать изменить тайминги. Конечно, можно сразу приобрести модули с минимальными значениями задержек, но они могут стоить заметно дороже.

Настройки памяти меняются через BIOS персонального компьютера или ноутбука. Универсального ответа на вопрос, как в биосе поменять тайминги оперативной памяти не существует.

Возможности по настройке подсистемы памяти могут сильно различаться на разных материнских платах. У дешевых системных плат и ноутбуков может быть предусмотрена только работа памяти в режиме по умолчанию, а возможности выбирать тайминги оперативной памяти — нет.

В дорогих моделях может присутствовать доступ к большому количеству настроек, помимо частоты и таймингов. Эти параметры называют подтаймингами. Они могут быть полезны при тонкой настройке подсистемы памяти, например, при экстремальном разгоне.

Изменение таймингов позволяет повысить быстродействие компьютера. Для памяти DDR3 это не самый важный параметр и прирост будет не слишком большим, но если компьютер много работает с тяжелыми приложениями, пренебрегать им не стоит. В полной мере это относится и к более современной DDR4.

Заметно больший эффект может принести разгон памяти по частоте, а в этом случае тайминги весьма вероятно придется не понижать, а повышать, чтобы добиться стабильной работы модулей памяти во внештатном режиме. К слову, подобные рекомендации можно встретить при выборе памяти для новых процессоров AMD Ryzen. Тестирования показывают, что для раскрытия потенциала этих процессоров нужна память с максимальными частотами, даже в ущерб таймингам. Вот калькулятор таймингов для процессоров Ryzen.

Стоит отметить, что далеко не во всех случаях настройка подсистемы памяти даст сколько-нибудь заметный результат. Есть приложения, для которых важен только объем оперативной памяти, а тонкий тюнинг задержек даст прирост на уровне погрешности. Судя по результатам независимых тестирований, быструю память любят компьютерные игры, а также программы для работы с графикой и видео-контентом.

Нужно учитывать, что слишком сильное уменьшение задержек памяти может привести к нестабильной работе компьютера и даже к тому, что он откажется запускаться. В этом случае необходимо будет сбросить BIOS на дефолтные настройки или, если вы не умеете этого делать, придется обратиться к специалистам.

Как правильно выставить

Начать, разумеется, стоит с выяснения стандартных настроек, рекомендованных производителем для данного модуля. Как проверить тайминги оперативной памяти, мы рассмотрели ранее. Затем можно посмотреть статистику на интернет ресурсах посвященных разгону, чтобы примерно представлять, чего можно ожидать от конкретного модуля оперативной памяти.

Как отмечалось, неверные значения задержек легко могут привести к невозможности загрузки компьютера, поэтому выясните, как именно осуществляется сброс настроек BIOS. Причем, не только программно, но и аппаратно, на случай, если не будет возможности даже войти в БИОС. Информацию об этом можно найти в документации к материнской плате или в интернете.

Чтобы разобраться, как выставить тайминги оперативной памяти в биосе, обычно не требуется много времени. В первый раз может потребоваться документация, потом все будет проще.

Все изменения таймингов необходимо производить не торопясь, имеет смысл менять по одному параметру и только на такт. После этого важно проверить, сможет ли компьютер стартовать и загрузить операционную систему.

Далее стоит провести тестирование, как система поведет себя под нагрузкой. Для этого можно воспользоваться специализированными программами или просто хорошо нагрузить компьютер, например, запустит на час игру с высокими настройками графики или кодирование видеофайла высокого разрешения. Если компьютер работает стабильно, можно понизить тайминги еще на один такт. Если происходят зависания, появляются сообщения о системных ошибках или программы аварийно завершаются, то нужно отменить изменения и вернуться на такт назад.

Разобравшись, как уменьшить правильно тайминги оперативной памяти ddr3 и более современной ddr4 не стоит сразу приступать к экспериментам. Сначала стоит определить, исходя из особенностей вашего «железа», что предпочтительней: повысить частоты или понизить задержки. Сейчас в большинстве случаев большего эффекта можно достичь за счет повышения тактовых частот.

Что больше влияет на скорость работы оперативной памяти — более низкие тайминги или более высокая частота

Самое важное, что вы должны понять и запомнить, чтобы разобраться в этом вопросе раз и навсегда, это то, что ПРИ ПОВЫШЕНИИ ЧАСТОТЫ, НА КОТОРОЙ РАБОТАЕТ МОДУЛЬ ОЗУ, АВТОМАТИЧЕСКИ ПОВЫШАЮТСЯ И ЗАДЕРЖКИ ПАМЯТИ. При понижении частоты, они уменьшаются. Это хорошо видно при сравнении планок памяти разных поколений.

Для сравнения скорости работы, возьмем два разных типа оперативки. Более старого DDR3 и современного DDR4.

Сравнение таймингов у оперативной памяти DDR4 и DDR3

Сравнить скорость разных модулей ОЗУ в наносекундах можно с помощью формулы ⇓

Тайминг*2000/частоту памяти. Например планка DDR4 с таймингом CL16 будет работать со скоростью 16*2000/3000=10.6 nanosec, а DDR3 с таймингом CL9 со скоростью 9*2000/1600=11.25 nanosec.

Как видно из примера частота работы памяти тоже очень важна. У DDR3 латентность намного ниже, чем у DDR4, но частота работы модуля DDR4 заметно выше DDR3. Хоть не намного, но DDR4 опережает DDR3 по скорости работы. Так же у него еще и большая пропускная способность. У будущей DDR5 я думаю разница в скорости будет еще больше.

Выходит, что тактовая частота оперативки влияет на производительность в большей степени, чем более низкие тайминги. Конечно, если выбор стоит между планками с одинаковой частотой, то лучше выбрать ту, у которой меньшие задержки.

Если кто-то хочет более серьезно разобраться с этим вопросом, вот ссылочка на таблицу по таймингам в Гуглдокс.

Стоит учитывать тайминги и при выборе модулей памяти для многоканального режима. Оптимальным решением будет покупка готового комплекта в котором все планки имеют идентичны характеристики. Если такой возможности нет, то стоит искать модули у которых не только совпадает тактовая частота и организация чипов, но и будут одинаковые тайминги.

Факты

С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти до её покупки.

Во времена оперативки DDR и DDR2, таймингам придавалось большое значение, поскольку кэш процессоров был значительно меньше, чем сейчас и приходилось часто обращаться к памяти.

Современные центральные процессоры имеют большие L2 и L3 кэш, что позволяет им гораздо реже обращаться к памяти. В случае маленьких программ, их данные могут целиком помещается в кэш процессора и тогда обращение к памяти вовсе не требуется.

Проголосовало: 1

Мне нравится1Не нравится

Александр

В 1998 году — первое знакомство с компьютером. С 2002 года постоянно развиваюсь и изучаю компьютерные технологии и интернет. Сейчас военный пенсионер. Занимаюсь детьми, спортом и этим проектом

Задать вопрос

Материнская плата

— Тайминги памяти в CPU-Z: Несоответствие вкладок памяти и SPD — Что они означают?

Элементы и неправильные представления о DRAM и CPU-Z:

В CPU-Z есть две вкладки, которые в основном относятся к DRAM: вкладка «Память» и вкладка SPD. Вкладка «Память» определяет «Тип», то есть DDR3, «Каналы #», то есть количество каналов памяти, выполняемых «1-Single, 2-Dual, 3-Tri, 4-Quad, и« Размер », то есть общий объем DRAM, скажем. 16384 для 16 ГБ. Затем он переходит к окну, которое называется «Время», и начинается с, вероятно, наиболее неверно интерпретируемого элемента, а именно «Частота DRAM».Многие люди видят то, что показано в коробке, и очень расстраиваются, то есть у них может быть 1600 DRAM, а там 800, или у них 1866, а там 933 или 933,6. (Да, часто появляются нечетные доли шара.) Причина этого в том, что он показывает истинную частоту DRAM, но поскольку это DDR (DOUBLE Data Rate), эту частоту необходимо умножить на два, чтобы определить, что действительно работает. в. В приведенных выше примерах 800 x 2 = 1600, 933 x 2 = 1866.

Другое наиболее распространенное заблуждение связано с вкладкой SPD в CPU-Z.В дополнение к другой предоставленной информации, CPU-Z имеет окно, которое они называют «Макс. Пропускная способность», что является одним из самых больших заблуждений / мифов / всего, что есть в DRAM. Многие люди клянутся, что программное обеспечение идентифицирует фактические чипы как имеющие определенную скорость (наиболее распространенные 1066, 1333 и 1600) и идентифицирует палочки по фактическим чипам, и продолжают говорить, что если они продаются как 2133, они действительно только 1333 или 1600 и были ОК. НЕ ПРАВДА! То, что отображается в Max Bandwidth, исходит от SPD на флешках и является обозначением загрузки по умолчанию для флешек, то есть разделом SPD, на который BIOS смотрит и которому пытается соответствовать при начальной загрузке или после BIOS / CMOS отдыхать.Это не имеет ничего общего с используемыми чипами. Если бы не эта область SPD, высокочастотные джойстики не смогли бы загрузиться сами по себе. Т.е. ни один mobo не имеет значений по умолчанию 1866, 2133, 2200, 2400, 2600, поэтому, если бы не эти настройки SPD по умолчанию, вы никогда бы не смогли войти в BIOS.

Если это никому не понятно, крикните, и я постараюсь объяснить это лучше.

памяти — Каково реальное значение тайминга ОЗУ?

Вот хорошее объяснение таймингов RAM, которые представляют собой четыре числа после скорости шины RAM.Эти значения управляют различными временами, связанными с тем, как контроллер памяти взаимодействует с ОЗУ.

  1. Задержка CAS (tCL) — это наиболее важная синхронизация памяти. CAS
    обозначает строб адреса столбца. Если строка уже выбрана,
    он сообщает нам, сколько тактов нам придется ждать результата
    (после отправки адреса столбца в контроллер RAM).

  2. Задержка адреса строки (RAS) до адреса столбца (CAS) (tRCD) — как только мы отправим контроллеру памяти адрес строки, нам придется подождать столько
    циклы перед доступом к одному из столбцов строки.Итак, если в строке нет
    было выбрано, это означает, что нам придется подождать циклы tRCD + tCL, чтобы получить
    наш результат из ОЗУ.

  3. Row Precharge Time (tRP) — Если у нас уже выбрана строка, нам придется подождать это количество циклов, прежде чем выбрать другую строку.
    Это означает, что для доступа к данным в
    другой ряд.

  4. Время активности строки (tRAS) — это минимальное количество циклов, в течение которых строка должна быть активной, чтобы у нас было достаточно времени для доступа
    информация, которая в нем.Обычно это должно быть больше или
    равна сумме трех предыдущих задержек (tRAS = tCL + tRCD +
    tRP).

Нижнее значение лучше для этих значений.

Вы не можете повредить ОЗУ, изменив любое из этих значений (в отличие от изменения скорости или напряжения шины), если ОЗУ не может с этим справиться, оно просто не будет правильно взаимодействовать с ЦП, и ваша система заблокируется или выйдет из строя .

Значения наклеек хранятся в EEPROM последовательного обнаружения присутствия (SPD) RAM, но некоторые материнские платы могут их игнорировать.Производитель проверил ОЗУ с указанными значениями, поэтому, если вы отклонитесь от спецификаций производителя, ОЗУ может работать ненадежно (рекомендуется длительные сеансы тестирования Memtest86, если вы действительно играете с этими значениями).

Расшифровка таймингов памяти

— ThinkComputers.org

  • Поделиться в Facebook

  • Поделиться в Twitter

Итак, вы ищете новый комплект памяти, и, хотя вы знаете, что «ниже = лучше», вы точно не знаете, почему.Возможно, вы даже знаете название «Задержка CAS» … но что это именно? Почему лучше иметь CL8 вместо CL10? Что это за другие числа? Что означают сокращения? Почему все так сложно !? О, и почему меня это волнует? Что ж .. читайте, узнавайте и радуйтесь! Я здесь, чтобы спасти положение.

Задержка CAS
Также известен как CL
Пример синхронизации: 9 -10-11-24 2
Жирным шрифтом выделена ваша задержка CAS. Это время задержки, в течение которого память а) получает команду от процессора до момента, когда она б) отправляет данные обратно процессору.Совершенно очевидно, почему это считается наиболее важным моментом, когда дело доходит до этого. Память с CL 7 будет реагировать быстрее, чем память с CL 9.

Задержка от RAS к CAS
Также известен как tRCD
Пример синхронизации: 9-9 10 -11-24-2
Простое объяснение: время между доступом к строке данных и последующим доступом к соответствующему столбцу данных. Задержка от RAS к CAS имеет меньшее значение задержки для производительности, чем CL.

Более сложное объяснение:
Каждое место хранения данных организовано в виде сетки (правильный термин — матрица).Думайте о микросхеме памяти как об игре в Морской бой. Если вы пытаетесь получить доступ к данным, хранящимся в ячейке «H7», tRCD — это время между доступом памяти к «строке H» (RAS: строб адреса строки) и доступом к памяти «столбец 7» (CAS: строб адреса столбца). Очевидно, что чем меньше число, тем лучше, поскольку для доступа к запрошенным данным необходимо обращаться как к строке, так и к столбцу.

RAS Precharge
Также известен как tRP
Пример времени: 9-10- 11 -24-2
После успешного извлечения данных из памяти необходимо закрыть строку, которая использовалась для доступа к данным.Это должно произойти, чтобы можно было получить доступ к новой строке. Предварительная зарядка RAS — это время между подачей команды на закрытие строки и тем, что новая строка становится доступной для использования. Это оказывает меньшее влияние на производительность, чем у CL.

Активная задержка предварительной зарядки
Также известен как tRAS
Пример времени: 9-10-11-9 24 -2
tRAS — это просто время, в течение которого память должна ждать после завершения команды, прежде чем она сможет принять и действовать в соответствии с новой. один. tRAS — второй по величине эффект на производительность после задержки CAS.

Командная скорость
Также известна как CR или CMD.
Пример времени: 9-10-11-24- 2
Время, прошедшее от активации памяти до возможности выполнения в ней действия. Несмотря на то, что это тема для многих дискуссий, все согласны с тем, что CR1 дает лучшую производительность, в то время как CR2 дает потенциально более стабильный разгон. Разница в производительности довольно незначительна (по данным личного тестирования до сих пор), хотя я уверен, что есть некоторые, которые со мной не согласятся.

Помните также, что DDR означает двойную скорость передачи данных. Поэтому, когда вы видите снимки экрана памяти программного обеспечения, такого как CPU-Z или AIDA64, которое показывает RAM 2400Mhz на 1200Mhz или 1600Mhz RAM на 800Mhz… удвойте это значение. Вот и все, — объяснил ГДР.

Вот и все. Разбивка каждого тайминга памяти в манере, которую, надеюсь, легко усвоить. Повторяю, при рассмотрении таймингов памяти вашим приоритетом должны быть CL и tRAS, а затем остальные. Чем ниже, тем лучше, но не жертвуйте скоростью CL или tRAS ради tRP или tRCD.

Мы надеемся, что это было полезно; не стесняйтесь обсуждать с нами воспоминания на нашем форуме!

RAM Тайминги: CAS, RAS, tRCD, tRP, tRAS Объяснение

RAM на самом деле является одним из самых важных компонентов в компьютере, но когда дело касается решение о покупке. Обычно емкость — это единственное, что, кажется, волнует обычных потребителей, и хотя это оправданный подход, оперативная память — это нечто большее, чем просто размер памяти, которую она хранит.Несколько важных факторов могут определять производительность и эффективность ОЗУ, и, вероятно, два из самых важных из них — это частота и время.

GSkill TridentZ RGB — фантастический комплект RAM для систем Ryzen — Изображение: GSkill

Частота RAM — это довольно простое число, которое описывает тактовую частоту, на которую рассчитана работа RAM. Он четко упоминается на страницах продуктов и следует простому правилу «чем выше, тем лучше». В настоящее время часто встречаются комплекты RAM, рассчитанные на 3200 МГц, 3600 МГц, 4000 МГц или даже выше.Другая, более сложная часть истории — это задержка или «тайминги» ОЗУ. Их гораздо сложнее понять и может быть непросто понять с первого взгляда. Давайте углубимся в то, что на самом деле такое тайминги RAM.

Что такое тайминги RAM?

Хотя частота является одним из наиболее рекламируемых чисел, тайминги ОЗУ также играют большую роль в общей производительности и стабильности ОЗУ. Тайминги измеряют задержку между различными общими операциями на микросхеме ОЗУ.Поскольку задержка — это задержка между операциями, она может серьезно повлиять на производительность ОЗУ, если она превысит определенный предел. Тайминги ОЗУ отражают внутреннюю задержку, которую может испытывать ОЗУ при выполнении различных операций.

Время RAM измеряется в тактах. Возможно, вы видели строку чисел, разделенных тире на странице продукта комплекта RAM, которая выглядит примерно как 16-18-18-38. Эти числа известны как тайминги набора RAM.По сути, поскольку они представляют задержку, чем ниже, тем лучше, когда дело доходит до таймингов. Эти четыре числа представляют так называемые «основные тайминги» и оказывают наиболее значительное влияние на задержку. Есть и другие суб-тайминги, но пока мы обсудим только первичные тайминги.

4 основных тайминга RAM представлены следующим образом — Изображение: Tipsmake

Primary Timings

В любом списке продуктов или на фактической упаковке тайминги указаны в формате tCL-tRCD-tRP-tRAS, что соответствует 4 основным таймингу. .Этот набор оказывает наибольшее влияние на фактическую задержку набора ОЗУ и является точкой фокусировки при разгоне. Следовательно, порядок чисел в строке 16-18-18-38 сразу показывает нам, какое первичное время имеет какое значение.

Задержка CAS (tCL / CL / tCAS)

Задержка CAS — Изображение: MakeTechEasier

Задержка CAS является наиболее заметной первичной синхронизацией и определяется как количество циклов между отправкой адреса столбца в память и началом данных в ответ.Это наиболее часто сравниваемые и рекламируемые сроки. Это количество циклов, необходимое для чтения первого бита памяти из DRAM с уже открытой правильной строкой. Задержка CAS — это точное число, в отличие от других чисел, которые представляют собой минимумы. Этот номер должен быть согласован между памятью и контроллером памяти.

По сути, задержка CAS — это время, необходимое памяти для ответа ЦП. При обсуждении CAS необходимо учитывать еще один фактор, поскольку CL нельзя рассматривать отдельно.Мы должны использовать формулу, которая преобразует рейтинг CL в фактическое время, выраженное в наносекундах, которое основано на скорости передачи данных RAM. Формула: (CL / Скорость передачи) x 2000. Используя эту формулу, мы можем определить, что комплект RAM, работающий на 3200 МГц с CL16, будет иметь фактическую задержку 10 нс. Теперь это можно сравнить с наборами с разными частотами и таймингами.

Задержка от RAS к CAS (tRCD)

Задержка от RAS к CAS — Изображение: MakeTechEasier

От RAS к CAS — это потенциальная задержка для операций чтения / записи.Поскольку модули RAM используют сеточную структуру для адресации, пересечение номеров строк и столбцов указывает конкретный адрес памяти. tRCD — это минимальное количество тактов, необходимое для открытия строки и доступа к столбцу. Время, необходимое для чтения первого бита памяти из DRAM без какой-либо активной строки, приведет к дополнительным задержкам в виде tRCD + CL.

tRCD можно рассматривать как минимальное время, необходимое ОЗУ для перехода к новому адресу.

Время предварительной зарядки строки (tRP)

Время предварительной зарядки строки — Изображение: MakeTechEasier

В случае открытия неправильной строки (это называется пропуском страницы), строка должна быть закрыта (так называемая предварительная зарядка), а следующая должна быть открыта .Только после этой предварительной зарядки можно получить доступ к столбцу в следующей строке. Следовательно, общее время увеличивается до tRP + tRCD + CL.

Технически, он измеряет задержку между выдачей команды предварительной зарядки для ожидания или закрытия одной строки и активацией команды для открытия другой строки. tRP идентичен второму числу tRCD, потому что одни и те же факторы влияют на задержку в обеих операциях.

Время активности строки (tRAS)

Время активности строки — Изображение: MakeTechEasier

Также известное как «Активировать задержку предварительной зарядки» или «Минимальное время активности RAS», tRAS — это минимальное количество тактовых циклов, необходимых между активной командой строки и выдача команды предварительной зарядки.Это совпадает с tRCD, и это просто tRCD + CL в модулях SDRAM. В остальных случаях это примерно tRCD + 2xCL.

tRAS измеряет минимальное количество циклов, которое строка должна оставаться открытой для правильной записи данных.

Command Rate (CR / CMD / CPC / tCPD)

Существует также определенный суффикс –T, который часто можно увидеть при разгоне и который обозначает командную скорость. AMD определяет Command Rate как количество времени в циклах между выбором микросхемы DRAM и выполнением команды.Это либо 1T, либо 2T, где 2T CR может быть очень полезным для стабильности при более высоких тактовых частотах памяти или для конфигураций с 4 модулями DIMM.

CR иногда также называют периодом команд. В то время как 1T быстрее, 2T может быть более стабильным в определенных сценариях. Он также измеряется в тактах, как и другие тайминги памяти, несмотря на уникальное обозначение –T. Разница в производительности между ними незначительна.

Влияние более низких таймингов памяти

Поскольку тайминги обычно соответствуют задержке набора RAM, более низкие тайминги лучше, поскольку это означает меньшую задержку между различными операциями RAM.Как и в случае с частотой, существует точка уменьшения отдачи, когда улучшение времени отклика будет в значительной степени сдерживаться скоростью других компонентов, таких как ЦП или общей тактовой частотой самой памяти. Не говоря уже о том, что снижение таймингов определенной модели ОЗУ может потребовать от производителя дополнительного биннинга, что, в свою очередь, приведет к более низкой доходности и более высокой стоимости.

Хотя в разумных пределах, более низкие тайминги RAM обычно улучшают производительность RAM. Как мы видим в следующих тестах, более низкие общие тайминги (и, в частности, задержка CAS) действительно приводят к улучшению, по крайней мере, с точки зрения чисел на графике.Будет ли улучшение восприниматься обычным пользователем во время игры или во время рендеринга сцены в Blender — это совсем другая история.

Влияние различных таймингов и частот ОЗУ на время рендеринга в Corona Benchmark — Изображение: TechSpot

Точка убывающей отдачи устанавливается быстро, особенно если мы идем ниже CL15. На этом этапе, как правило, время и задержка не являются факторами, сдерживающими производительность ОЗУ. Другие факторы, такие как частота, конфигурация ОЗУ, возможности ОЗУ материнской платы и даже напряжение ОЗУ, могут быть задействованы в определении производительности ОЗУ, если задержка достигает точки убывающей отдачи.

Тайминги в зависимости от частоты

Частота и тайминги ОЗУ взаимосвязаны. Просто невозможно получить лучшее из обоих миров в массовых потребительских наборах RAM. Как правило, по мере того, как номинальная частота набора RAM увеличивается, тайминги становятся слабее (тайминги увеличиваются), чтобы несколько компенсировать это. Частота обычно немного перевешивает влияние таймингов, но бывают случаи, когда доплачивать за высокочастотный комплект ОЗУ просто не имеет смысла, поскольку тайминги становятся слабее, а общая производительность страдает.

Хорошим примером этого являются споры между ОЗУ DDR4 3200 МГц CL16 и ОЗУ DDR4 3600 МГц CL18. На первый взгляд может показаться, что комплект 3600Mhz быстрее и тайминги не намного хуже. Однако, если мы применим ту же формулу, которую мы обсуждали при объяснении задержки CAS, история принимает другой оборот. Ввод значений в формулу: (CL / Скорость передачи) x 2000 для обоих комплектов RAM дает результат, что оба комплекта RAM имеют одинаковую реальную задержку 10 нс. Хотя да, существуют и другие различия в субтимингах и способе настройки ОЗУ, но аналогичная общая скорость делает комплект 3600 МГц худшим из-за его более высокой цены.

Результаты тестов различных частот и задержек — Изображение: GamersNexus

Как и в случае с таймингами, мы довольно скоро достигли точки убывающей отдачи и по частоте. Как правило, для платформ AMD Ryzen DDR4 3600 МГц CL16 считается оптимальным выбором как по таймингу, так и по частоте. Если мы перейдем к более высокой частоте, такой как 4000 МГц, не только ухудшатся тайминги, но даже поддержка материнской платы может стать проблемой для чипсетов среднего уровня, таких как B450. Мало того, что на Ryzen часы Infinity Fabric и часы контроллера памяти должны быть синхронизированы с частотой DRAM в соотношении 1: 1: 1 для достижения наилучших возможных результатов, а выход за пределы 3600 МГц нарушает эту синхронизацию.Это приводит к увеличению задержки, общей нестабильности и неэффективной частоте, что делает эти комплекты ОЗУ в целом плохим соотношением цены и качества. Как и в отношении таймингов, необходимо установить золотую середину, и лучше всего придерживаться разумных частот, таких как 3200 МГц или 3600 МГц, при более жестких временных интервалах, таких как CL16 или CL15.

Разгон

Разгон ОЗУ — один из самых утомительных и вспыльчивых процессов, когда дело доходит до возиться с вашим ПК. Энтузиасты вникали в этот процесс не только для того, чтобы выжать из своей системы все до последней капли, но и из-за проблем, связанных с этим процессом.Основное правило разгона оперативной памяти простое. Вы должны достичь максимально возможной частоты, сохраняя при этом одинаковые тайминги или даже сокращая тайминги, чтобы получить лучшее из обоих миров.

ОЗУ — один из самых чувствительных компонентов системы, и его обычно не устраивает ручная настройка. Поэтому производители оперативной памяти включают предустановленную функцию разгона, известную как «XMP» или «DOCP», в зависимости от платформы. Предполагается, что это будет предварительно протестированный и подтвержденный разгон, который пользователь может включить через BIOS, и чаще всего это самый оптимальный уровень производительности, который нужен пользователю.Калькулятор DRAM

для Ryzen от «1usmus» — это фантастический инструмент для ручного разгона на платформах AMD.

Если вы действительно хотите взять на себя задачу ручного разгона оперативной памяти, наше подробное руководство по разгону оперативной памяти может оказаться большим подспорьем. Тестирование стабильности при разгоне — самая сложная часть разгона оперативной памяти, поскольку для правильного выполнения может потребоваться много времени и много сбоев. Тем не менее, эта задача может быть хорошим опытом для энтузиастов, а также может привести к некоторому приросту производительности.

Заключительные слова

ОЗУ, безусловно, является одним из наиболее недооцененных компонентов системы, который может существенно повлиять на производительность и общую скорость отклика системы. Тайминги ОЗУ играют большую роль в этом, определяя задержку, которая присутствует между различными операциями с ОЗУ. Более сжатые тайминги, безусловно, приводят к повышению производительности, но есть точка уменьшения отдачи, из-за которой вручную разгонять и сокращать тайминги для минимального прироста производительности затруднительно.

Наилучший способ принятия решения о покупке — достижение идеального баланса между частотой ОЗУ и таймингами при одновременном контроле стоимости ОЗУ. Наш выбор лучших комплектов оперативной памяти DDR4 в 2020 году может быть полезен при принятии обоснованного решения относительно вашего выбора оперативной памяти.

Что такое тайминги памяти и как они работают: объяснение CAS, RAS и tRAS

Какого черта тайминги памяти? Оперативная память уже достаточно сложна: вам нужно иметь дело со скоростью, емкостью памяти и тем, находится ли она в двухканальном или одноканальном режиме.Все это по-разному влияет на его производительность. Но в довершение всего вам придется иметь дело с четырьмя , еще числами, таймингами памяти (первичными). Если вы когда-нибудь смотрели на модуль памяти, вы увидите четыре дополнительных числа, которые выглядят примерно так: 8-8-8-24. Это тайминги памяти.

Прежде чем мы перейдем к самим таймингу памяти, давайте быстро посмотрим, как рассчитываются скорости передачи ОЗУ.

Скорость передачи памяти или DDR?

ОЗУ

DDR4 имеет удвоенную скорость передачи данных, что означает, что за цикл выполняется 2 передачи.Как вы думаете, что еще означало «ГДР»? Возьмем стандартную DDR4-2133. Фактическая номинальная частота этой памяти составляет 1066 МГц, но фактически это составляет 2133 миллиона передач в секунду (MT / s). Поскольку они фактически одинаковы, люди также называют память DDR4 работающей на частоте 2133 МГц, поскольку модуль DDR на частоте 1066 эквивалентен модулю с одинарной накачкой на частоте 2133. ОЗУ подключено к процессору через 64-разрядную шину. .

В чем разница между DDR4, LPDDR4 и LPDDR4X: ПК и мобильная RAM

Итак, чтобы рассчитать общую скорость передачи (которая выражается в байтах, а не в битах), вам нужно умножить эффективную скорость (2133 МГц) на ширину шины.Затем разделите это на 8, так как 1 байт равен восьми битам. Для DDR4 2133 МГц это соответствует пропускной способности 17 064 МБ / с, или примерно 17 ГБ / с. Теперь, если вы работаете в двухканальном режиме, ваш ЦП подключен к ОЗУ по двум 64-битным шинам, что означает, что ваша эффективная пропускная способность составляет примерно 34 ГБ / с.

В чем разница между памятью DDR4, GDDR5 и GDDR6

Теоретически это все, что вам нужно знать, чтобы определить скорость ОЗУ.На практике есть и другие факторы. Здесь на сцену выходят тайминги RAM. Каждое из четырех временных чисел RAM представляет собой отдельную переменную. Начнем с первого:

tCL (задержка CAS):

Это относится к задержке (задержке) между запросом данных ЦП из ОЗУ и временем, когда ОЗУ начинает их отправлять. Чем меньше задержка CAS, тем меньше задержка. Число относится к количеству тактовых циклов введенной задержки. Например, CL 9 означает задержку в девять тактовых циклов между запросом данных ЦП и началом передачи ОЗУ.

tRCD (задержка RAS в CAS):

Это связано с тем, как память хранится в ОЗУ — в матрице, состоящей из логических строк и столбцов. TRCD относится к промежутку времени между активацией строки для фрагмента данных и активацией ее столбца.

tRP (предварительная зарядка RAS):

Предварительная зарядка RAS функционально связана с tRCD. Одновременно может быть активирована только одна строка в матрице данных. tRP относится к промежутку времени между отключением доступа к одной линии и инициированием доступа к другой линии.Команда предварительной зарядки выдается после сбора данных из заданной строки. Он закрывает использовавшуюся строку и позволяет активировать новую.

tRAS (al’Ghul):

Шучу. tRAS — это сокращение от Active to Precharge delay. Это относится к промежутку времени между экземплярами доступа к памяти.

Как связаны тайминги и скорость ОЗУ?

Если вы знакомы с концепцией буферизации, имеет смысл понять, как тайминги ОЗУ могут оказать заметное влияние на общую производительность ОЗУ.Каждая цифра времени представляет собой время, затраченное на действия, выполняемые на модуле RAM, что отличается от скорости передачи. Независимо от того, насколько высока тактовая частота ОЗУ, ваша общая производительность будет зависеть от того, насколько быстро данные хранятся и извлекаются в самом модуле ОЗУ.

Однако эти два фактора взаимосвязаны. Более высокая тактовая частота означает более высокую скорость передачи, что, в свою очередь, означает, что ЦП получает данные быстрее (и, следовательно, может запрашивать их быстрее).Это означает, что для предотвращения возникновения узких мест необходимо увеличивать тайминги памяти по мере увеличения тактовой частоты. В противном случае задержки в модуле RAM приведут к простаиванию ЦП между экземплярами доступа к данным.

На первый взгляд может показаться, что это не большая задержка: модуль RAM CL 9 задерживает передачу только на 9 тактов, верно? Ну да. Но это происходит каждый раз, когда выполняется эта конкретная функция (запрос данных ЦП). Примите во внимание все четыре аспекта синхронизации, и вы увидите, что эти задержки складываются, потому что они могут происходить тысячи раз в секунду.

При достаточной потере таймингов это может фактически привести к эффективным скоростям чтения-записи, которые на самом деле ниже, чем при более низких тактовых частотах.

Как настроить тайминги ОЗУ?

Во-первых, определите наивысшую частоту, которую ваша оперативная память будет достигать с настройками времени по умолчанию. Большинство BIOS компенсируют более высокие скорости ОЗУ, чем стандартные, за счет ослабления таймингов ОЗУ: если тайминги остаются низкими, а скорость передачи увеличивается, у вашей ОЗУ остается меньше места для передышки, и вы, , в конечном итоге получаете потенциальную нестабильность.

Тайминги также можно изменить с помощью Ryzen Master, если у вас процессор AMD

. Как только вы получите максимальную номинальную тактовую частоту, начните настраивать тайминги ОЗУ небольшими приращениями, примерно в 1 цикл за настройку времени. То, к чему вы стремитесь, — это сочетание таймингов и тактовой частоты, аналогичное разогнанным модулям, настроенным производителем. Посетите Newegg, ознакомьтесь со спецификациями «целевого» разогнанного модуля. Как только вы увеличите тактовую частоту до максимума (не забудьте соответственно увеличить напряжение оперативной памяти.1,35 В безопасно), начните уменьшать тайминги ОЗУ с шагом в один цикл.

Убедитесь, что тайминги стабильны

Для проверки стабильности вашей памяти используйте Memtest64. Мы предлагаем запускать 5 петель за раз. Если вам повезет, у вас будет разогнанная память с тактовой частотой и таймингом, которые примерно соответствуют гораздо более быстрым заводским модулям OC. Лайфхак? Купите DDR4 с более низкой тактовой частотой от таких известных производителей, как Samsung. Даже если базовая цена немного выше, у этих модулей, как правило, есть много возможностей для разгона.Я запускаю пару модулей ADATA 2400 МГц и пару модулей Samsung 2133 МГц в двухканальном режиме, при этом все четыре успешно работают на частоте 3000 МГц.

Выбор оперативной памяти: что такое задержка CAS и когда это имеет значение?

Выбор ОЗУ может быть сложной задачей, потому что это решение может оказать ощутимое влияние на ваше взаимодействие с пользователем. Сколько вкладок браузера вы можете оставить открытыми, сколько слоев можно открыть в Photoshop и как быстро будет загружаться ваша игра? На все это напрямую влияет ваш выбор оперативной памяти.

Как работает оперативная память?

Возьмем для сравнения оживленную магистраль. Количество RAM-накопителей похоже на количество полос на дороге: чем больше у вас RAM-накопителей, тем больше у вас полос и тем больше автомобилей дорога может вместить в данный момент времени.

Размер вашей оперативной памяти, в этой аналогии, будет таким, сколько автомобилей может вместить каждая полоса движения. А скорость вашей оперативной памяти подобна знаку ограничения скорости, вывешенному на шоссе.

Таким образом, карта памяти объемом 8 ГБ с тактовой частотой 2666 МГц может обрабатывать 8 ГБ данных в данный момент времени, а 2666 МГц — это скорость, с которой будет обрабатываться информация.

Вот почему увеличение объема оперативной памяти не обязательно сделает ваш компьютер быстрее: вы добавляете больше полос на дорогу и увеличиваете вместимость автомобиля, а не увеличиваете ограничение скорости. Добавление большего объема ОЗУ может быть полезно для пользователей в определенных ситуациях, требующих ОЗУ (пользователи Chrome с большим количеством вкладок, пользователи программ 3D-рендеринга / моделирования и недавних консолей — например, PS3, Wii U — пользователи эмуляции), но больший объем ОЗУ почти никогда не является решением, поскольку почему компьютер не запускает игру с желаемым уровнем производительности.

Как определить задержку ОЗУ?

Здесь на помощь приходит CAS.Чтобы понять, насколько быстро ваша оперативная память, вы должны посмотреть на ее синхронизацию. Он будет указан рядом с ОЗУ с номерами, представленными в следующем формате: 15-16-16-35.

Первый столбец представляет задержку CAS , также известную как «Строб доступа к столбцу». Это количество тактов, которые проходят между выдачей инструкции и предоставлением информации. Если вы скажете кому-то «пригнуться!», Задержка CAS будет задержкой между моментом, когда вы прикажете ему пригнуться, и реакцией другого человека.

Но CAS не существует в вакууме и должен быть помещен в формулу вместе с другими спецификациями, чтобы определить истинную задержку вашей оперативной памяти.

Чтобы вычислить истинную задержку вашей RAM в наносекундах, используйте следующую формулу:

(задержка CAS / тактовая частота RAM) x 2000 = задержка в наносекундах

Если у вас CAS 15 и часы скорость 2400 МГц, это будет ваша истинная задержка:

(15/2400) x 2000 = 12.5 наносекунд

Если у вас CAS 17 и тактовая частота 2666 МГц, это будет ваша истинная задержка:

(17/2666) x 2000 = 12,75 наносекунды

Таким образом, более высокие тайминги CAS могут привести к более высокая задержка даже при более высоких тактовых частотах. Однако , это не объясняет, что происходит в ситуации, когда истинная задержка двух модулей ОЗУ связана, несмотря на то, что они имеют разные тактовые частоты (потому что вариант с более быстрой тактовой частотой имеет худшую задержку).В ситуациях, когда возникает такая связь, более высокая скорость ОЗУ имеет приоритет над тем, что имеет более высокую задержку CAS . Таким образом, при сравнении карты памяти DDR4-3000 с CAS 15 и карты памяти DDR4-3600 с CAS 18 (обе имеют истинную задержку 10 наносекунд) следует предпочесть DDR4-3600.

Точно так же сравнение задержки CAS между вариантами RAM с одинаковыми тактовыми частотами — это то место, где CAS имеет наибольшее значение. Флешка с ОЗУ DDR4-3600 с CAS 15 имеет истинную задержку 8.33 наносекунды, в то время как ручка того же размера / той же скорости с CAS 19 имеет задержку 10,56 наносекунды. В этом случае RAM DDR4-3600 с CAS 15 объективно лучше, чем RAM DDR4-3600 с CAS 19.

Как выбрать RAM?

Материнские платы и процессоры рассчитаны на максимальный объем и скорость оперативной памяти, с которыми они могут работать. Если ваша материнская плата и процессор рассчитаны только на 3600 МГц, вам следует покупать или разгонять ОЗУ только до 3600 МГц. Однако беглое прочтение покажет, что доступно более сотен вариантов оперативной памяти 3600 МГц.Если вы сузите его до размера оперативной памяти, возможно, до 16 ГБ (2 x 8 ГБ), у вас все равно будет несколько десятков вариантов. Вот где вступает в дело CAS (и его стоимость).

Для 16 ГБ ОЗУ на частоте 3600 МГц вы найдете варианты с задержкой CAS от 15 до 19. Вы также обнаружите, что разница в цене составляет почти 100 долларов США, и что эта разница тесно связана с задержкой CAS. Например, G.Skill Ripjaws V DDR4-3600 с CAS 19 стоит около 130 долларов. Для сравнения, G.Skill TridentZ DDR4-3600 с CAS 15 стоит примерно 230 долларов.Чем ниже CAS, тем быстрее ОЗУ и, следовательно, дороже.

При выборе ОЗУ с разной тактовой частотой предпочтительнее ОЗУ с более высокой тактовой частотой; но при выборе между ОЗУ с одинаковой тактовой частотой ОЗУ с меньшей задержкой CAS работает быстрее. Здесь ограничения вашего бюджета должны вступить в битву с вашим стремлением к скорости (а также любыми эстетическими соображениями, такими как освещение RGB).

При работе в наносекундах разница может показаться незначительной — и, конечно, можно утверждать, что для среднего пользователя разница между CAS 15 и CAS 19 не стоит больших денег.Но при выборе между вариантами RAM в рамках бюджета вы должны выбрать самый низкий CAS при заданной скорости для лучшей производительности.

RAM Подробные сведения. Скорость RAM, тайминги, задержка, многоканальный Archit.

Что такое оперативная память? RAM Details — Сколько оперативной памяти мне нужно?

RAM означает Оперативная память . Наша система использует оперативную память для временного хранения рабочих частей операционной системы и данных, которые ваши приложения активно используют. ОЗУ — это не постоянное хранилище, это кратковременная память компьютера.

Думайте, что оперативная память похожа на всю офисную рабочую станцию, а кэш ЦП — это как фактическая рабочая область, где вы активно работаете с документом. Чем больше ОЗУ, тем больше стол, на котором можно разместить больше кусочков бумаги, не создавая беспорядка.

Как и в случае с офисным столом, оперативная память не может выступать в качестве постоянного хранилища. RAM имеет энергозависимую память. Содержимое вашей системной RAM теряется, как только вы выключаете питание.

Покупка оперативной памяти может сбить с толку.

  • В чем разница между DDR3 и DDR4?
  • В чем разница между DIMM и SO-DIMM?
  • Есть ли разница между DRR3-1600 и PC3-12800?
  • Важны ли задержка ОЗУ и время?

RAM Обычно означает SDRAM

Не путайте SD-RAM с SRAM , в которой SRAM означает статическую RAM.Статическая ОЗУ используется в основном в кэш-памяти ЦП, и она намного быстрее, но ограничена своей емкостью. Статическую оперативную память можно найти в компактных устройствах, таких как планшеты, мобильные телефоны. Это бортовая распаянная оперативная память. Поскольку SRAM работает так же, как SDRAM, но в SRAM мы потеряли возможность будущего обновления, а также, если RAM выйдет из строя, мы даже не сможем изменить его вручную. Либо нам нужно купить другое устройство, либо нужно платить больше за его ремонт.

Форм-факторы RAM

По большей части RAM бывает двух размеров:

  1. DIMM (модуль памяти с двумя линиями), который используется в настольных компьютерах и серверах, и
  2. SO- DIMM (Small Outline DIMM), который используется в ноутбуках и других компьютерах с малым форм-фактором.

DIMM по сравнению с SO-DIMM

. Хотя два форм-фактора ОЗУ используют одну и ту же технологию и функционально работают одинаково, их нельзя смешивать .Вы не можете вставить модуль DIMM в слот SO-DIMM, и наоборот, потому что контакты и слоты не совпадают.

SDRAM против SRAM

Не путайте SD-RAM с SRAM , что означает статическая RAM. Статическая ОЗУ в основном используется в кэш-памяти ЦП, и она намного быстрее, но ограничена своей емкостью. Статическую оперативную память можно найти в компактных устройствах, таких как планшеты, мобильные телефоны. Поскольку SRAM работает так же, как SDRAM, но в SRAM мы потеряли возможность обновления в будущем, а также, если RAM выйдет из строя, мы даже не сможем изменить его вручную.Либо нам нужно купить другое устройство, либо нужно платить больше за его ремонт.

Чтобы разобраться в различных заявленных спецификациях и деталях оперативной памяти, в качестве примера рассмотрим CORSAIR Vengeance LPX .

Стоит упомянуть 4 основных момента.

  • Емкость (8 ГБ)
  • Тип накопителя (DDR4)
  • Тип ячейки (DRAM)
  • Тактовая частота (2400 МГц)

Емкость ОЗУ.Как

Скорее всего, вы знаете, что имеется в виду под емкостью. CORSAIR Vengeance LPX имеет емкость 8 ГБ = 2³ x 2³⁰ байтов, где 1 байт = 8 бит.

Возьмите емкость, разделите ее на ширину (64-битное слово) и вы получите количество адресов. Каждый адрес содержит последовательность из 1s и 0s , которые могут представлять инструкцию (например, сложение) или операнд (например, A в A + B).

Тип ячейки ОЗУ

Ячейки ОЗУ энергозависимы и отличаются от других .Когда питание ячейки RAM отключено, сохраненные данные теряются навсегда. Вот почему, когда ваш компьютер не отвечает, вы можете перезагрузить его, чтобы вернуть его в известное состояние до запуска каких-либо приложений.

Есть два основных типа ячеек RAM.

  • Статическая RAM (SRAM) и динамическая (DRAM).
  • SRAM сохраняет биты данных в своей памяти, пока подается питание.
  • В отличие от DRAM, которая хранит биты в ячейках, состоящих из конденсатора и транзистора, SRAM не нужно периодически обновлять.
  • Статическая ОЗУ обеспечивает более быстрый доступ к данным и стоит дороже, чем DRAM. SRAM обычно используется для кеширования, тогда как DRAM используется для основной памяти.

RAM

Тип карты памяти / тактовая частота y

Прежде чем мы начнем вдаваться в подробности, вам необходимо знать, что DDR, DDR2, DDR3 и DDR4 основаны на SDRAM (синхронной динамической памяти с произвольным доступом). Под синхронным мы подразумеваем, что это синхронизировано с системными часами. Это означает, что тактовая частота SDRAM должна соответствовать тактовой частоте материнской платы.

Инженеры разработали новое технологическое решение, известное как DDR (двойная скорость передачи данных). Флешка DDR берет скорость материнской платы и удваивает ее, это означает передачу двух блоков данных за такт. С каждым новым введенным последующим каждый DDRx мог передавать вдвое больше данных за тот же период времени, чем предыдущий.

  • DDR2 — частота шины x 2 x 2
  • DDR3 — частота шины x 2 x 2²
  • DDR4 — частота шины x 2 x 2³

Из-за этого соглашения об именах На карте памяти DDRx указана удвоенная реальная максимальная тактовая частота, с которой она может работать.

Например, модули памяти DDR4–1333 совместимы с материнскими платами, работающими на частоте 666,6 МГц, модули памяти DDR4–2400 совместимы с материнскими платами, работающими на частоте 1200 МГц, и так далее.

Тактовая частота ОЗУ и детали слота

Очень важно знать, что заявленная тактовая частота — это теоретический максимум, который может использовать память. Это не означает и не гарантирует, что память будет работать с такой скоростью.

Например, если вы устанавливаете DDR2 — ОЗУ 1066 МГц на компьютер, который может получить доступ к подсистеме памяти только на частоте 400 МГц (800 МГц для DDR2).Доступ к памяти будет осуществляться на частоте 400 МГц (800 МГц для DDR2), а не 533 МГц (1066 МГц для DDR2).

Помимо заявленной тактовой частоты, вы часто будете видеть PCx-zzzz, где x — поколение технологии, а zzzz — максимальная теоретическая скорость передачи. Современные архитектуры имеют 64 линии, идущие от модуля памяти к контроллеру памяти на материнской плате. Это означает, что за каждый такт передается 64 бита данных. Это означает, что за такт передается 8 байтов данных, потому что 1 байт равен 8 битам.Итак, если вы возьмете 64 бита и при преобразовании в байты, вы получите 64/8 = 8 байтов. Умножьте тактовую частоту на количество байтов (например, — 8), и вы получите максимальную теоретическую скорость передачи в МБ / с.

Например, память DDR2 — 800 имеет максимальную теоретическую скорость передачи 6400 МБ / с (800 x 8). Расчет, он передает 8 байтов за такт и имеет тактовую частоту 800.

Опять же, очень важно понимать, что эти скорости передачи являются доступной полосой пропускания.Когда мы их вычисляем, мы предполагаем, что передача данных будет происходить в каждом тактовом цикле, что на самом деле никогда не происходит, потому что ЦП не передает данные 100% времени.

Есть два основных способа определения тактовой частоты материнской платы.

Что такое DDR?

Двойная скорость передачи данных (DDR) RAM означает, что за один такт происходит две передачи. Новые типы ОЗУ представляют собой обновленные версии той же технологии, поэтому модули ОЗУ имеют маркировку DDR, DDR2, DDR3, DDR4 и так далее.

Хотя все поколения RAM имеют одинаковый физический размер и форму, они несовместимы . Вы не можете использовать DDR3 RAM на материнской плате, которая поддерживает только конфигурацию контактов DDR2. Также обратите внимание, что DDR3 не помещается в слот DDR4 и наоборот. Чтобы избежать путаницы, каждое поколение RAM имеет выемки на контактах в разных местах. Это означает, что вы не можете подключить любую другую оперативную память в этот конкретный разъем. Таким образом, он предотвращает случайное смешивание модулей оперативной памяти и предотвращает повреждение материнской платы, даже если вы покупаете неправильный тип.

DDR2 — частота шины x 2 x 2
DDR3 — частота шины x 2 x 2²
DDR4 — частота шины x 2 x 2³

DD R2

DDR2 — самая старая RAM, которую вы наверняка встретятся сегодня. Он имеет 240 контактов (200 для SO-DIMM). DDR2 была хорошо заменена, но вы все еще можете купить ее в ограниченном количестве для обновления старых машин. В противном случае DDR2 устарела.

DDR3

DDR3 была выпущена еще в 2007 году.Хотя он был официально подавлен более поздней DDR4 в 2014 году. Тем не менее, вы все еще найдете множество систем, использующих более старые стандарты оперативной памяти. Причина в том, что DDR4 не использовалась до 2016 года. Через два года после выпуска DDR4 системы с поддержкой DDR4 не были разработаны. Кроме того, оперативная память DDR3 охватывает широкий диапазон поколений процессоров, от сокета Intel LGA1366 до LGA1151, а также AMD AM3 / AM3 + и FM1 / 2/2 +. (Для Intel это с момента появления линейки Intel Core i7 в 2008 году до 7 -го поколения Kaby Lake!)

ОЗУ DDR3 имеет такое же количество контактов, что и DDR2.Однако он работает с более низким напряжением и имеет более высокие тайминги (подробнее о таймингах RAM чуть позже), поэтому они несовместимы. Кроме того, модули DDR3 SO-DIMM имеют 204 контакта по сравнению с 200 контактами DDR2.

DDR4

DDR4 появилась на рынке в 2014 году, но до сих пор не получила полного контроля над рынком оперативной памяти. Чрезвычайно высокие цены на оперативную память замедляют процесс обновления. Но по мере того, как цены снизились, все больше людей переключилось на оперативную память DDR4 с последними поколениями процессоров AMD и Intel.Это означает, что если вы хотите перейти на более мощный процессор, вам также понадобятся новая материнская плата и новая оперативная память.

В DDR4 напряжение ОЗУ падает еще больше, с 1,5 В до 1,2 В, при увеличении количества контактов до 288.

DDR5

DDR5 планировалось выпустить на потребительские рынки в 2019 году. Но на самом деле это было так. требуется несколько лет, чтобы эта технология прижилась. Поскольку иногда людям необходимо обновить всю систему, чтобы получить максимальную производительность от ОЗУ DDR5, и только обновление ОЗУ не решит этих задач.Как мы знаем, обновление намного проще, чем переключение. Компании и эксперты ожидают услышать об этом больше в 2020 году. Производитель оперативной памяти SK Hynix ожидает, что DDR5 будет составлять 20% рынка в 2020 году и 41% в 2021 году.

Документация по материнской плате

Укажите номер модели материнская плата вашего компьютера. Затем поищите в Интернете производителя и номер модели. Вы получите подробные характеристики материнской платы. Это включает в себя скорость передней шины (шины памяти), измеренную в МГц.

Программное обеспечение сторонних производителей

В Интернете доступен ряд программных приложений, которые могут сообщить вам скорость внешней шины. Я предлагаю вам свободно распространяемую программу, которая действительно достойна, проверьте это — CPU-Z. CPU-Z предоставляет подробную информацию о вашем компьютере, включая скорость передней шины.

Загрузите программное обеспечение отсюда — CPU-Z

Многоканальная архитектура памяти

Многоканальная архитектура работает над увеличением количества линий данных, доступных на шине памяти, таким образом, она увеличивает доступную пропускная способность.

1.

Одноканальный

В одноканальной архитектуре у вас есть 64 полосы для подключения модулей памяти к контроллерам памяти.

В двухканальной архитектуре у вас есть 2 x 64 = 128 полос , это практически удваивает доступную полосу пропускания.

Следуя той же логике, трехканальная архитектура будет иметь шину памяти 3 x 64 = 192 бит шириной , четырехканальная будет иметь шину памяти 4 x 64 = 256 бит шириной и так далее.

Важно отметить, что Двухканальная архитектура требует двух физических модулей ОЗУ.

Если вы скажете, что хотите собрать компьютер с 8 ГБ оперативной памяти. Для достижения максимальной производительности , вы должны купить два модуля памяти 4 ГБ, чтобы включить двухканальный режим , В нем оба ОЗУ имеют доступ к общему 128 битам данных. Если вы купите один модуль на 8 ГБ, у вас будет такой же объем памяти, но доступ к памяти будет осуществляться в одноканальном режиме, поэтому одновременно будут использоваться только 64 бита.

2.

Dual Channel

Если у вас больше разъемов, чем модулей ОЗУ, вы должны убедиться, что вы устанавливаете их в правильные разъемы памяти на материнской плате, чтобы получить максимальную производительность. Если у вас есть две ОЗУ, но они не подключены должным образом к сокетам, вы получите систему, обращающуюся к памяти в рамках одноканальной архитектуры.

Чтобы упростить жизнь всем геймерам и другим пользователям, большинство производителей материнских плат используют разные цвета для своих разъемов памяти для разных режимов канала.Так будет проще, и вам просто нужно не забыть устанавливать модули памяти в гнезда одного цвета.

RAM — скорость, задержка, синхронизация

Вы видели много деталей и спецификаций, касающихся поколений SDRAM, DIMM и DDR.

Но что насчет других длинных цепочек чисел в модели RAM?

В чем измеряется ОЗУ? А как насчет ECC и Swap?

Вот другие характеристики оперативной памяти, которые вам необходимо знать.

Тактовая частота, передачи, пропускная способность

Вы могли видеть, что RAM обозначается двумя наборами чисел, например DDR3-1600 и PC3-12800. Оба они относятся к ОЗУ поколения и его скорости передачи . Число после DDR / PC и перед дефисом относится к поколению: DDR2 — PC2, DDR3 — PC3, DDR4 — PC4.

Число после DDR означает количество мегапередач в секунду (MT / s). Например, оперативная память DDR3-1600 работает со скоростью 1600 МТ / с.

Число после ПК относится к теоретической пропускной способности в Мбит / с. Например, PC3-12800 работает со скоростью 12800 МБ / с.

Как разогнать оперативную память? Является ли это возможным.

ОЗУ можно разогнать точно так же, как можно разогнать процессор или видеокарту. Разгон увеличивает пропускную способность оперативной памяти. Производители иногда продают предварительно разогнанную оперативную память. Но вы легко можете разогнать его самостоятельно. Просто убедитесь, что ваша материнская плата поддерживает более высокие тактовые частоты ОЗУ.

Вам может быть интересно, что происходит, когда вы смешиваете модули RAM с разной тактовой частотой.

Когда вы смешиваете две разные RAMS с разной тактовой частотой, обе будут работать с тактовой частотой самого медленного модуля RAM. Если вы хотите использовать более быструю оперативную память, мы советуем не смешивать ее со старым или более медленным модулем ОЗУ. Теоретически можно смешивать марки RAM с одинаковыми характеристиками, но это не рекомендуется. Будет больше шансов столкнуться с синим экраном смерти или другими случайными сбоями, когда вы смешиваете марки RAM или разные тактовые частоты RAM.

Время и задержка

Вы заметите, что модули RAM имеют ряд номеров, например 9-10-9-27 .Эти числа предпочтительнее таймингов .

Время RAM — это измерение производительности модуля RAM в нс (наносекундах). Чем ниже цифры, тем быстрее ОЗУ реагирует на запросы .

При синхронизации 9-10–9-27 первое число (9) — это задержка CAS. Задержка CAS (строб доступа к столбцу) относится к количеству тактовых циклов, которое требуется для того, чтобы данные, запрошенные контроллером памяти, стали доступными для вывода данных.

Давайте разберемся в этом на примерах DDR3 и DDR4.

Самая низкая скорость работы оперативной памяти DDR3 составляет 533 МГц, что означает, что тактовый цикл составляет 1/533000000 или 1,87 нс (наносекунды). При задержке CAS 7 циклов общая задержка составляет 7 x 1,87 = 13,09 нс.

В то время как самая низкая скорость ОЗУ DDR4 работает на частоте 800 МГц, что означает тактовый цикл 1/800000000 или 1,25 нс (наносекунды). Даже если у него более высокая задержка CAS, равная 9 циклам, общая задержка составляет 9 x 1,25 = 11,25 нс. Вот почему он быстрее оперативной памяти DDR3.

В основном емкость превосходит тактовую частоту и задержку каждый раз . Вы получите гораздо больше других преимуществ от 16 ГБ оперативной памяти DDR4 -1600, чем от 8 ГБ оперативной памяти DDR4 -2400. В большинстве случаев время и задержка являются последними пунктами рассмотрения перед покупкой ОЗУ.

ECC

Код исправления ошибок (ECC) RAM — это особый вид модуля памяти, предназначенный для обнаружения и исправления повреждения данных при выполнении тяжелых задач.Обычно ECC RAM используется на серверах, где ошибки в критических данных могут быть катастрофическими и создать огромную проблему. Например, личная или финансовая информация, которая хранится в оперативной памяти при манипулировании связанной базой данных с серверов.

Потребительские материнские платы и процессоры обычно не поддерживают ОЗУ, совместимые с ECC. Если вы не строите сервер в этом сценарии, ему специально требуется ОЗУ ECC.

Заключительные мысли в ОЗУ

Когда ваш процессор извлекает данные из вторичного хранилища (т.е.е. HDD, SSD), он тратит немного тактовых циклов, которые можно было бы потратить на выполнение других инструкций. Чем больше у вас объем оперативной памяти, тем больше места у вас будет для работы с вашим процессором, что приведет к менее частому доступу к вторичному хранилищу. Скорость RAM относительно шины памяти. Заявленная тактовая частота — это теоретическое максимальное значение, которое может быть достигнуто при использовании правильного и стандартного оборудования для стандартных заданных процессов. Если ваш процессор и материнская плата поддерживают многоканальную архитектуру, вы можете значительно увеличить доступную пропускную способность, используя несколько модулей ОЗУ при подключении их к соответствующему разъему на материнской плате.Этот пост призывает читателей проверить архитектуры и тактовые частоты, поддерживаемые их материнскими платами, RAMS и контроллерами памяти, чтобы в полной мере использовать доступную пропускную способность.

Ссылки по теме :

RAM Guide for Best Gaming RAM — 2020 Buyer Guide

Лучшая бюджетная игровая мышь до 1500 рупий.

Оставьте комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *